2SK1582-T1B 时间：2025/4/30 19:59:12 阅读：2

2SK1582-T1B是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高频、高效率的开关电源、逆变器以及其他功率转换设备中。该器件采用TO-3P封装形式，具有优良的热性能和电气性能，能够承受较高的电压和电流。其低导通电阻和快速开关特性使得它非常适合于要求高效能和小体积的应用场合。
　　2SK1582-T1B是富士电机（Fuji Electric）推出的高性能MOSFET，凭借其出色的参数表现，被广泛用于工业级和商业级电子设备。

参数

最大漏源电压：900V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大连续漏极电流：12A
　　最大脉冲漏极电流：36A
　　导通电阻（典型值）：1.4Ω
　　总功耗：200W
　　结温范围：-55℃至+175℃

特性

2SK1582-T1B具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：其900V的漏源电压使其能够在高压环境下稳定运行。
　　2. 低导通电阻：在高电流应用中，1.4Ω的典型导通电阻有助于减少能量损耗。
　　3. 快速开关速度：该器件支持高频开关操作，适合现代功率转换器的需求。
　　4. 高可靠性：具备优异的热特性和机械稳定性，可长期在高温环境下工作。
　　5. 耐雪崩能力：内置雪崩保护功能，提高了器件在异常情况下的耐用性。

应用

2SK1582-T1B适用于多种功率转换场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. 工业逆变器
　　3. 变频驱动器
　　4. 太阳能逆变器
　　5. 高频功率放大器
　　6. 不间断电源（UPS）系统
　　由于其高电压和大电流处理能力，该器件特别适合需要高效能功率管理的工业应用。