类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值2.0Ω（最大值2.6Ω）@ Vgs=10V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：1.0A
　　脉冲漏极电流（Idm）：4.0A
　　功耗（Pd）：40W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：典型值65pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：典型值35pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　反向传输电容（Crss）：典型值8.0pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值45ns
　　上升时间（tr）：典型值25ns
　　下降时间（tf）：典型值20ns
　　阈值电压（Vth）：典型值3.0V（范围2.0~4.0V）@ Vds=Vgs, Id=1mA

2SK1563具备多项关键特性，使其在高电压功率开关应用中表现出色。首先，其高达600V的漏源击穿电压使其能够安全地用于离线式开关电源设计中，直接连接至整流后的市电母线电压而无需额外的电压钳位保护电路。其次，该器件采用了优化的沟道设计与制造工艺，在保证高耐压的同时实现了较低的导通电阻（Rds(on)），从而有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。这一特性对于需要长时间运行的工业设备尤为重要。
　　另一个显著特点是其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这使得2SK1563在高频开关操作中所需的驱动能量较小，减少了驱动IC的负担，并有助于提高开关频率以缩小外围滤波元件的体积，实现更紧凑的电源设计。此外，反向传输电容（Crss）的控制也较为理想，有助于抑制米勒效应引起的误触发问题，增强电路在高dv/dt环境下的稳定性。
　　从热管理角度来看，TO-220封装提供了良好的散热路径，允许器件在40W的最大功耗下通过适当的散热片进行有效降温。其宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃）确保了在极端环境温度下仍可稳定运行，适用于户外或高温工业现场的应用场景。同时，该器件还具备较强的抗雪崩能力和抗浪涌电流能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　值得一提的是，2SK1563的阈值电压设定合理，典型值为3.0V，可在标准逻辑电平驱动下实现可靠开启，兼容多种PWM控制器的输出信号。综合来看，这些特性使2SK1563成为中小功率高压开关电源中理想的主开关器件选择。

2SK1563广泛应用于多种电力电子领域，尤其是在需要高效、高可靠性的直流-直流转换器和开关模式电源（SMPS）中。它常被用作反激式（Flyback）、正激式（Forward）等拓扑结构中的主开关元件，适用于AC-DC适配器、充电器、工业控制电源以及电信设备供电单元。由于其600V的高耐压能力，可以直接接入经过桥式整流和滤波后的市电母线电压（约300–400VDC），因此特别适合于通用输入电压范围（85–265VAC）的离线式电源设计。
　　在照明电子领域，2SK1563可用于高频电子镇流器或LED驱动电源中，作为功率调节和调光控制的核心开关元件。其快速的开关响应时间和低驱动损耗有助于实现精确的亮度控制和更高的光效转换效率。
　　此外，在可再生能源系统中，如小型光伏并网逆变器或离网太阳能控制器中，2SK1563也可用于DC-DC升压或隔离变换环节，帮助将太阳能板输出的不稳定低压直流电转换为稳定的高压直流电供后续逆变使用。其良好的热稳定性和长期运行可靠性满足了户外长时间工作的需求。
　　在工业自动化设备中，例如PLC电源模块、传感器供电单元或电机驱动辅助电源中，2SK1563因其坚固的封装和抗干扰能力强的特点，也被广泛采用。总之，凡是需要在高压环境下进行高效能量转换且对成本和空间有一定要求的场合，2SK1563都是一个值得考虑的MOSFET解决方案。

2SK1564, 2SK1565, STP6NK60Z, FQP6N60, K2646, 2SK2542