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2SK1548-01MR 发布时间 时间:2025/8/9 8:03:26 查看 阅读:41

2SK1548-01MR是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道MOSFET场效应晶体管,主要用于高频开关和功率放大电路。该MOSFET采用小型SOT-343封装,适用于便携式设备和高频DC-DC转换器。其设计具有低导通电阻、高速开关特性以及良好的热稳定性,适合用于节能和高效能要求较高的电子设备中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±12V
  最大漏极电流(Id):100mA(连续)
  导通电阻(Rds(on)):最大15Ω @ Vgs=4.5V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-343
  功率耗散(Pd):100mW
  晶体管配置:单管
  极性:N沟道
  过渡频率:100MHz
  漏极电容(Coss):7pF @ Vds=10V

特性

2SK1548-01MR的特性之一是其低导通电阻,在4.5V的栅源电压下可达到15Ω的最大值,这使得该MOSFET在导通状态下的功率损耗非常低,从而提高整体电路的效率。此外,该器件的漏极电容(Coss)仅为7pF,适用于需要高速开关操作的应用场景,例如高频DC-DC转换器、电源管理和负载开关。
  该MOSFET采用SOT-343封装,体积小巧,适合用于空间受限的便携式电子产品,如智能手机、穿戴设备和传感器模块。其工作温度范围为-55°C至+150°C,表明其在极端温度条件下仍能保持稳定运行。
  该器件还具有良好的热稳定性,能够在有限的散热条件下保持较低的温度上升,适用于小型化和高密度PCB设计。此外,其100mA的连续漏极电流能力适合用于低功率控制电路,如逻辑接口驱动和小型继电器控制。

应用

2SK1548-01MR广泛应用于低功率开关电路和高频电子系统中。其典型应用包括便携式电子设备的电源管理、微处理器或逻辑电路的负载控制、LED驱动电路以及高频DC-DC转换器。由于其SOT-343封装的小型化设计,该器件也常用于传感器模块和无线通信设备中的低功耗控制电路。
  在移动设备中,它可被用于控制电池供电系统的各个模块,例如Wi-Fi模块、蓝牙芯片或GPS接收器的电源管理。在DC-DC转换器中,该MOSFET可用于升压或降压电路中的同步整流器,以提高转换效率并减少发热。
  此外,该MOSFET也可用于继电器替代应用,如小型固态继电器或负载开关,适用于需要低电流控制的工业自动化和智能家居设备。

替代型号

2SK1548-01MR的替代型号包括2SK1547-01MR、2SK1549-01MR、以及2N7000。

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