型号：2SK1535
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：900 V
　　连续漏极电流（Id）：3.5 A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：14 A
　　功耗（Pd）：50 W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值3.0 Ω（最大值4.5 Ω）
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值4.0 V（范围3.0~5.0 V）
　　栅极电荷（Qg）：典型值45 nC
　　输入电容（Ciss）：典型值520 pF
　　输出电容（Coss）：典型值65 pF
　　反向恢复时间（trr）：无（属于单极性器件）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220 / TO-220F

2SK1535具备多项关键特性，使其在高电压、低电流的功率开关应用中表现出色。首先，其高达900V的漏源击穿电压（BVDSS）使其非常适合用于高压环境下的开关操作，例如离线式开关电源（off-line SMPS）和AC-DC转换器中，可以在不增加额外保护电路的情况下直接连接整流后的市电电压，从而简化电路设计并提高系统集成度。其次，该器件的导通电阻Rds(on)在同类高压MOSFET中处于较低水平，典型值仅为3.0Ω，在实际应用中可以有效降低导通损耗，提升电源转换效率，尤其在轻载或中等负载条件下表现更为明显。
　　此外，2SK1535采用了优化的平面硅栅结构，这不仅提高了器件的制造一致性和长期可靠性，还增强了其抗雪崩能力和热稳定性。这种结构设计使得器件在突发过压或瞬态电压冲击下仍能保持安全运行，避免因局部击穿而导致永久损坏。同时，较低的栅极电荷（Qg = 45nC）意味着驱动电路所需的能量更少，能够与常见的PWM控制器良好匹配，尤其适合高频开关应用，如高频DC-DC变换器和电子镇流器等。输入电容Ciss仅为520pF，进一步降低了高频下的驱动损耗。
　　另一个重要特性是其良好的热性能。TO-220封装具有较大的金属背板，便于安装散热片，有效将芯片产生的热量传导至外部环境，确保在长时间高负载运行时结温不会超过安全限值。其最大功耗可达50W，结温范围从-55°C到+150°C，适应各种严苛的工作环境。此外，该器件还具备快速的开关响应能力，上升时间和下降时间短，减少了开关过程中的交越损耗，提升了系统的动态响应性能。综合来看，2SK1535在高压耐受能力、导通效率、热管理和驱动兼容性方面均达到了良好的平衡，是一款适用于多种工业和消费类电源系统的高性能N沟道MOSFET。

2SK1535广泛应用于各类需要高压、中低电流开关功能的电力电子系统中。最常见的应用场景之一是开关模式电源（SMPS），尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，作为主开关管使用。由于其900V的高耐压能力，可以直接接入经过桥式整流滤波后的220V交流电网（约310V直流），无需额外的降压或钳位电路，大大简化了前端电源设计。在这些电源中，2SK1535负责周期性地导通和关断变压器初级绕组，实现能量的传递与电压变换，广泛用于电视、显示器、打印机、充电器等家用电器和办公设备的内置电源模块。
　　此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压转换器中，特别是在输入电压较高的工业控制系统中，例如48V转多路低压输出的电源系统。在这些应用中，2SK1535凭借其低Rds(on)和快速开关特性，能够有效降低功率损耗，提高转换效率，并支持较高的开关频率，从而减小磁性元件的体积和重量，有利于小型化设计。另一个典型应用是在电子镇流器中驱动荧光灯或节能灯，其中2SK1535作为谐振半桥或全桥电路中的开关元件，参与生成高频交流信号以激发灯管发光，其高耐压和稳定性确保了灯具在长时间运行下的可靠点火与亮度控制。
　　在电机控制领域，2SK1535可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为H桥或推挽结构的一部分，实现启停、调速和方向控制。虽然其电流能力有限（3.5A），但对于小功率电机而言已足够使用。此外，该器件还可用于逆变器电路中，特别是在低功率太阳能逆变器或UPS不间断电源中，作为DC-AC转换环节的开关组件。最后，在工业自动化设备、测量仪器和通信电源中，2SK1535也因其高可靠性与成熟的技术方案而被广泛采纳，成为许多工程师在中高压开关设计中的首选器件之一。

2SK1536
　　2SK1537
　　K2837
　　2SC4466
　　2SK2588