类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：8A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　功率耗散（PD）：60W
　　栅极电荷（Qg）：40nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（典型值）

2SK152-1具有多项优异的电气和物理特性，适用于中高功率开关应用。其主要特性包括高耐压能力和低导通电阻的平衡设计，漏源电压可达900V，确保在高压环境中稳定运行，同时导通电阻最大为1.2Ω，降低了导通损耗，提高了系统效率。该MOSFET的漏极电流最大为8A，能够支持较大的负载能力，适用于需要高电流驱动的应用场景。
　　该器件的栅极驱动电压范围为±30V，具有较强的抗过压能力，避免因栅极电压过高而导致器件损坏。此外，其栅极电荷（Qg）为40nC，输入电容（Ciss）为1100pF，这些参数表明其开关速度适中，能够在较高的频率下工作，同时保持较低的开关损耗。2SK152-1的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有良好的热稳定性，适用于各种环境条件下的应用。
　　封装方面，2SK152-1采用TO-220AB标准封装，具备良好的散热性能，有助于提高器件在高功率工作状态下的可靠性。该封装形式也便于安装和散热片连接，适合在各种工业和消费类电子产品中使用。

2SK152-1由于其高耐压和较大的电流承载能力，被广泛应用于多个电子系统中。常见应用包括电源管理电路中的开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电池充电器等。此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路、继电器替代开关、照明控制以及工业自动化设备中的负载开关控制。
　　在开关电源中，2SK152-1可作为主开关器件，用于将输入的直流电压转换为高频交流信号，从而通过变压器进行电压变换，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，该MOSFET可以作为功率开关，实现电压升降压功能，适用于便携式设备和电动汽车中的电源管理。
　　在电机控制方面，2SK152-1可用于H桥电路中，控制直流电机的正反转和调速，适用于小型电动工具、机器人和自动化控制系统。此外，该器件还可用于LED照明调光电路、电热器控制以及智能家电中的负载切换，提供高效的开关控制方案。

2SK153-1, 2SK1172, IRF840, 2SK2141