型号：2SK1504
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：7A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.65Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：典型值1200pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：典型值190pF（@Vds=25V）
　　反向传输电容（Crss）：典型值50pF（@Vds=25V）
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值15ns
　　上升时间（tr）：典型值50ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值55ns
　　下降时间（tf）：典型值25ns

2SK1504具备多项关键特性，使其在功率MOSFET领域中表现出色。首先，其高达500V的漏源击穿电压使其适用于多种中高压电源应用，如AC-DC适配器、离线式开关电源等，在这些场景中必须保证器件能够承受瞬态高压而不发生击穿。其次，该器件的导通电阻Rds(on)典型值仅为0.65Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率，尤其在持续大电流工作的条件下优势明显。低Rds(on)还意味着发热量更少，有助于简化热设计并延长系统寿命。
　　另一个重要特性是其良好的开关性能。2SK1504具有较低的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，这使得它能够在高频下快速开启和关闭，减少开关过程中的能量损耗。这对于现代高频率开关电源设计至关重要，因为更高的开关频率可以减小变压器和滤波元件的体积，从而实现电源的小型化和轻量化。此外，该器件的阈值电压在2.0V至4.0V之间，兼容常见的逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器或其他驱动IC直接接口。
　　从可靠性角度来看，2SK1504采用了坚固的平面结构和高质量封装技术，具备优良的热稳定性和抗浪涌能力。其最大结温可达+150°C，支持在恶劣环境温度下长期运行。同时，器件内部集成了体二极管，可在感性负载关断时提供续流路径，防止电压尖峰对MOSFET造成损害。尽管如此，在高功率应用中仍建议外加保护电路，如RC缓冲网络或TVS二极管，以进一步增强系统鲁棒性。总体而言，2SK1504凭借其高耐压、低导通损耗、快速开关响应和高可靠性，成为众多中等功率电源设计中的理想选择。

2SK1504广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。最典型的应用之一是作为主开关管用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）或半桥式（Half-Bridge）拓扑结构的开关电源（SMPS）中，尤其是在输出功率在50W至300W范围内的AC-DC电源适配器、充电器和LED驱动电源中表现优异。其500V的耐压能力和7A的额定电流足以应对大多数通用电源需求。
　　在DC-DC转换器中，2SK1504可用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）电路中作为功率开关元件，特别适用于工业设备中的非隔离式电源模块。此外，它也常见于电机驱动电路中，例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，利用其快速开关能力实现精确的速度和方向控制。
　　其他应用还包括逆变器、UPS不间断电源、电子镇流器、电焊机电源模块以及各种家用电器的电源控制部分。由于其封装形式（如TO-220）易于安装散热片，因此在需要良好热管理的场合尤为适用。此外，在一些照明控制系统和电源管理单元中，2SK1504也可用作负载开关或电源通断控制元件，实现远程或自动化的电源管理功能。总之，凡涉及中高压、中等电流、高频开关操作的场合，2SK1504均是一个可靠且经济的选择。

2SK1505, 2SK1506, 2SK1507, K2544, IRFBC40, STP5NK50Z