2SK1483是一种N沟道MOSFET功率晶体管,主要用于高频和高功率应用。该器件采用TO-3P封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。2SK1483广泛应用于射频放大器、开关电源以及音频功率放大器等场景。
由于其优异的线性和低失真特性,2SK1483在音频领域中被用作高性能输出级晶体管,尤其适合于高品质功放设计。
最大漏极电流:25A
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
导通电阻(典型值):0.015Ω
输入电容:400pF
功率耗散(Tc=25℃):250W
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 高击穿电压使得该器件能够在较高电压条件下稳定运行。
2. 极低的导通电阻有效降低了功率损耗,提高了整体效率。
3. 较高的电流承载能力确保了其在大功率场合下的适用性。
4. 优异的线性度和低失真表现使其成为音频功率放大器的理想选择。
5. TO-3P金属封装不仅提供了良好的散热性能,还增强了机械强度。
1. 音频功率放大器中的输出级驱动元件。
2. 射频功率放大器的设计。
3. 开关模式电源(SMPS)中的开关元件。
4. 电机控制和逆变器电路。
5. 各类工业设备中的功率管理模块。
2SK1058, IRFP250N, BUZ906