类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：7 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　功耗（Pd）：50 W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55 Ω（典型值，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：3.0 ~ 5.0 V
　　输入电容（Ciss）：1000 pF（典型值，Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：300 pF（典型值，Vds=25V）
　　反向传输电容（Crss）：50 pF（典型值，Vds=25V）
　　二极管正向电流（Is）：7 A
　　二极管反向恢复时间（trr）：45 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C ~ +150 °C

2SK1472具备出色的电气性能和热稳定性，是专为高电压、高频率开关应用而设计的N沟道MOSFET。其最大的亮点之一是高达600V的漏源击穿电压，使其非常适合用于离线式开关电源和AC-DC转换器等高压环境。该器件在VGS=10V时的典型导通电阻仅为0.55Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了电源系统的整体能效。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使得驱动电路的设计更加简单且高效，减少了开关过程中的驱动能量消耗。
　　该MOSFET采用平面硅栅技术，增强了器件的可靠性和耐久性，尤其是在高温和高应力条件下仍能保持稳定的性能表现。其阈值电压范围为3.0V至5.0V，兼容标准逻辑电平驱动信号，能够与多种PWM控制器直接接口，无需额外的电平转换电路，提升了系统集成度。
　　2SK1472内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（典型值45ns），可有效抑制开关瞬间的电压尖峰和振荡，降低电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。这一特性在硬开关拓扑如反激式（Flyback）和正激式（Forward）转换器中尤为重要。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　从封装角度看，TO-220或TO-220FP封装不仅提供了优良的散热性能，而且便于手工焊接和自动化装配，广泛适用于各种工业级和消费级电源产品。其额定结温可达+150°C，支持在严苛环境下长期运行。综合来看，2SK1472以其高耐压、低导通电阻、快速开关特性及高可靠性，成为中小功率电源设计中的优选器件之一。

2SK1472广泛应用于各类中等功率的开关电源系统中，尤其适合用于离线式AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源、小型逆变器以及工业控制电源模块。在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，它常被用作主开关器件，承担能量传递和电压变换的核心功能。得益于其600V的高耐压能力，可以直接连接整流后的市电母线电压，适用于全球通用输入电压范围（85VAC ~ 265VAC）的应用场景。
　　在DC-DC转换器中，2SK1472可用于升压（Boost）、降压（Buck）或半桥拓扑，特别是在需要较高开关频率以减小磁性元件体积的设计中表现出色。其低栅极电荷和快速开关特性有助于实现更高的转换效率和更小的EMI滤波器尺寸。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，尤其是小功率直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，作为上下桥臂的开关元件使用。在这些应用中，2SK1472的低导通电阻可以显著减少发热，延长设备使用寿命。
　　在消费类电子产品如电视机、显示器、路由器电源中，2SK1472因其成本效益高、性能稳定而被广泛采用。同时，在工业自动化设备、医疗电源和通信电源中，其高可靠性和宽温度工作范围也满足了严苛环境下的使用需求。总之，凡是需要高效、高压、高频开关操作的场合，2SK1472都是一种值得信赖的选择。

2SK2545, 2SK2642, STP7NK60ZFP, FQP6N60, K2566