型号：2SK1464
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8.5A（在TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：30A
　　功耗（Pd）：2.5W（在TC=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：13mΩ（max，当Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：900pF（典型值，Vds=15V）
　　开关时间：ton约15ns，toff约25ns（典型测试条件）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP Advance 或类似小型表面贴装封装

2SK1464采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，这种结构显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。其最大导通电阻仅为13mΩ，在低电压应用中表现出色，特别适合用于电池供电设备中以延长续航时间。器件在Vgs=10V的标准驱动条件下即可实现完全导通，兼容大多数常见的PWM控制器输出逻辑电平，同时也可在较低的Vgs（如4.5V）下工作，展现出良好的栅极驱动适应性。
　　该MOSFET具备快速的开关响应能力，其开关时间（ton/toff）分别约为15ns和25ns，有助于减少开关过程中的交越损耗，提升高频开关电源的工作效率。输入电容（Ciss）典型值为900pF，相对较低，进一步降低了驱动电路的负担，有利于实现更高的工作频率。此外，器件内部结构经过优化，寄生参数较小，能够有效抑制振铃现象和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。
　　热性能方面，2SK1464采用了高导热材料和优化的封装设计，能够在有限的空间内有效传导热量，配合良好的PCB铜箔布局可实现有效的散热管理。其最大功耗为2.5W（在25°C环境温度下），结合合理的散热设计可满足持续高负载运行需求。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使其不仅适用于常规商业环境，也能在较严苛的工业环境中可靠运行。
　　安全性方面，2SK1464具备一定的抗雪崩击穿能力，能够在意外电压尖峰出现时提供一定程度的自我保护，提升了系统的鲁棒性。同时，其栅氧化层经过严格工艺控制，具备较高的耐压能力和长期可靠性，防止因栅极过压导致的早期失效。综合来看，2SK1464通过多项技术优化，在导通损耗、开关速度、热管理和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电源系统中的理想选择之一。

2SK1464主要应用于各类需要高效直流电源转换的电子设备中，尤其是在空间受限但对效率要求较高的场合表现突出。常见应用包括笔记本电脑主板上的同步整流DC-DC转换器，用于为核心处理器、内存和其他关键芯片提供稳定的低电压大电流供电。在此类应用中，2SK1464常作为下管（synchronous rectifier）使用，与上管MOSFET配合完成高效的降压变换。
　　在LCD和LED背光驱动电路中，该器件可用于升压或恒流控制拓扑结构中，实现对背光亮度的精确调节。其快速开关特性有助于提高调光频率，避免人眼可察觉的闪烁现象。此外，在便携式消费电子产品如平板电脑、智能手机充电管理模块中，2SK1464也常被用于电池充放电路径的开关控制或电源路径管理单元，保障系统的安全与效率。
　　通信设备中的电源模块同样广泛采用此类高性能MOSFET，例如路由器、交换机的板载电源子系统中，用于多路电压转换和负载切换。其小型化封装有利于提高PCB布线密度，适应紧凑型设计趋势。工业控制领域中的一些低功率电机驱动、传感器供电模块也会选用2SK1464，因其具备良好的温度稳定性和长期运行可靠性。
　　除此之外，该器件还可用于LED照明驱动、USB PD快充适配器、无线充电发射端电源管理等新兴应用领域。随着对能效标准的不断提升（如Energy Star、DoE Level VI等），2SK1464凭借其低Rds(on)和高开关速度的优势，成为众多工程师在设计绿色节能电源方案时的重要候选器件之一。

TPS73633DBVT