型号：2SK1373
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：7 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　功耗（Pd）：150 W（Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.58 Ω @ Vgs = 10 V, Id = 3.5 A
　　阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 1000 pF @ Vds = 25 V, Vgs = 0 V
　　输出电容（Coss）：典型值 260 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 150 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220

2SK1373具备多项关键特性，使其在中高压功率MOSFET市场中占据重要地位。首先，其高达500V的漏源击穿电压使其适用于多种离线式开关电源设计，尤其是在AC-DC转换器中作为主开关器件使用时表现出色。其次，该器件具有较低的导通电阻Rds(on)，典型值仅为0.58Ω，在7A的工作电流下能够有效减少导通损耗，提升系统整体能效。这对于追求高效率和低发热的设计尤为重要。同时，2SK1373采用了优化的硅栅极结构，确保了良好的栅极驱动兼容性，可在标准逻辑电平或专用驱动电路下稳定工作。
　　另一个显著特点是其出色的热性能表现。TO-220封装提供了较大的散热面积，并可通过外接散热片进一步增强散热能力，从而保证器件在长时间高负载运行下的可靠性。此外，该MOSFET具备较高的输入阻抗和快速的开关响应速度，支持数十千赫兹甚至上百千赫兹的高频开关操作，适用于现代高效小型化电源适配器、LED驱动电源及逆变器等设备。
　　2SK1373还集成了一个快速恢复体二极管，能够在负载切换过程中提供有效的续流路径，防止因感性负载引起的电压尖峰损坏其他电路元件。这一特性对于电机驱动、继电器控制等存在感性负载的应用尤为关键。最后，器件符合RoHS环保标准，适用于对环境要求较高的产品设计，并具备良好的抗雪崩能力和抗静电能力，增强了其在复杂电磁环境中的鲁棒性。

2SK1373广泛应用于各类需要高电压、大电流开关能力的电力电子系统中。最常见的用途是作为主开关管用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）等拓扑结构的开关模式电源（SMPS），特别是在200W以下的AC-DC适配器、充电器和工业电源模块中表现优异。此外，它也常被用作DC-DC变换器中的功率开关，例如在升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）电路中实现高效的能量转换。
　　在照明领域，2SK1373可用于驱动大功率LED阵列的恒流源电路，尤其适用于户外照明、路灯和商业照明系统，其高耐压和稳定输出特性有助于延长灯具寿命并提升光效一致性。在工业控制方面，该器件可作为电机驱动电路中的开关元件，用于控制小型直流电机或步进电机的启停与调速，适用于自动化设备、家用电器（如洗衣机、空调压缩机驱动）等场景。
　　此外，2SK1373也可用于逆变器电路中，将直流电转换为交流电，常见于太阳能微逆变器、不间断电源（UPS）和便携式电源设备。其良好的热稳定性和抗冲击能力使其能在温度变化剧烈或电网波动较大的环境中保持可靠运行。总之，凭借其高耐压、低导通损耗和强健的封装结构，2SK1373成为许多中等功率电力电子系统中的理想选择。

2SK1372, 2SK1374, 2SK1375, STP7NK50ZFP, 2SK2542