型号：2SK1327
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：7 A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　功耗（Pd）：50 W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.85 Ω（Max 1.2 Ω）@ Vgs=10V
　　阈值电压（Vth）：2.0～4.0 V
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃～+150℃
　　输入电容（Ciss）：520 pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：100 pF @ Vds=25V
　　反向传输电容（Crss）：18 pF @ Vds=25V
　　上升时间（tr）：45 ns
　　下降时间（tf）：60 ns

2SK1327具备多项关键特性，使其在功率开关应用中表现卓越。首先，其高漏源击穿电压（500V）确保了在高压环境下工作的安全性与稳定性，能够有效应对瞬态过压情况，适用于AC-DC电源和离线式开关电源设计。其次，该器件拥有较低的导通电阻（Rds(on)），最大值仅为1.2Ω，在Vgs=10V条件下可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提升电源系统的整体能效。这对于追求节能与小型化的现代电子设备至关重要。
　　另一个重要特性是其良好的开关性能。2SK1327具有较小的输入、输出及反向传输电容，这不仅减少了驱动电路所需的能量，也加快了开关速度，降低了开关过程中的动态损耗。同时，快速的上升时间和下降时间（分别为45ns和60ns）使得该器件非常适合高频开关应用，例如在PWM控制电路中实现精确的占空比调节。此外，该MOSFET采用了平面栅极技术，提升了器件的一致性和长期可靠性。
　　从热管理角度看，2SK1327的封装设计支持有效的热量传导，可在较高的环境温度下持续运行。其最大功耗可达50W，并具备宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃），增强了在恶劣环境条件下的适应能力。器件还具备较强的抗雪崩能力和耐用性，能够在意外电压冲击下保持功能完整性。最后，SIP-7封装便于安装和自动化生产，适用于大批量制造场景，进一步提升了其在工业和消费电子领域的实用性。

2SK1327广泛应用于各类需要高效功率开关控制的电子系统中。最典型的应用领域是开关模式电源（SMPS），包括台式电脑电源、液晶电视电源板、LED照明驱动电源以及适配器等。在这些应用中，2SK1327作为主开关元件，负责将直流电压斩波为高频交流信号，再通过变压器进行电压变换与隔离，最终整流滤波输出所需直流电压。其高耐压与低导通电阻特性在此类应用中发挥了重要作用。
　　此外，该器件也被用于DC-DC转换器中，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）或反激式（Flyback）拓扑结构中担任功率开关角色。由于其快速的开关响应能力和低电容特性，有助于提高转换效率并减小外围元件尺寸，进而实现更紧凑的设计。在工业控制设备中，如PLC电源模块、电机驱动电源或继电器驱动电路中，2SK1327同样表现出良好的稳定性和耐用性。
　　在消费类电子产品中，尤其是老式CRT电视和显示器的待机电源电路中，2SK1327曾被大量采用。它也可用于逆变器、UPS不间断电源系统以及电池充电器等设备中，作为核心功率开关器件。由于其具备较强的抗干扰能力和温度适应性，即使在电网波动较大的地区也能可靠运行。总的来说，2SK1327适用于任何要求高效率、高可靠性和中等功率等级的开关电源应用场景。

2SK1328, 2SK1329, 2SK2036, 2SK2542, K2742, K2761