类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大漏极电流（Id）：1.5 A
　　最大功耗（Ptot）：25 W
　　导通电阻Rds(on)：典型值 4.5 Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 45 pF
　　输出电容（Coss）：约 13 pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（体二极管较慢）
　　栅极电荷（Qg）：约 10 nC（@Vds=500V, Id=1.5A）
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP（小外形封装）

2SK1323S具备多项关键特性，使其成为中小功率电源应用中的优选器件。首先，其高达600V的漏源击穿电压使其适用于离线式开关电源设计，可直接连接整流后的市电电压，无需额外的降压前置电路，从而简化系统架构。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通损耗，在持续负载运行时显著提升整体效率，尤其适合对能效要求较高的绿色能源标准产品。
　　该MOSFET采用先进的沟槽结构工艺制造，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流密度，同时控制了寄生参数的影响。其较小的输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需提供的能量较少，有助于降低驱动IC的功耗，并支持更高的开关频率操作，有利于减小磁性元件和滤波电容的体积，实现电源小型化。
　　2SK1323S的SOP表面贴装封装不仅节省PCB空间，而且具备较好的热传导性能，通过适当的PCB铜箔设计可实现有效的散热管理。尽管其封装功率容量有限，但在合理布局和通风条件下仍能满足大多数工业级应用的需求。此外，该器件具有良好的热稳定性，其正温度系数的导通电阻特性有助于多管并联时的电流均衡。
　　在可靠性方面，2SK1323S经过严格的质量控制流程生产，符合RoHS环保标准，具备较强的抗静电能力和长期工作稳定性。它还能承受一定程度的电压过冲和电流浪涌，内置的体二极管虽非快速恢复型，但在某些拓扑结构如反激式变换器中仍可提供必要的续流功能。总体而言，这些特性共同构成了一个高效、可靠且易于集成的功率开关解决方案。

2SK1323S主要用于中小功率的开关电源系统中，典型应用场景包括AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源以及各类工业控制设备中的DC-DC转换模块。在反激式（Flyback）拓扑结构中，该器件常作为主开关管使用，负责将输入的高压直流电周期性地存储于变压器中并传递至次级侧，实现电压隔离与变换。得益于其高耐压能力和良好的动态响应特性，2SK1323S能够在宽输入电压范围内稳定工作，适应不同地区的电网波动需求。
　　此外，该器件也适用于待机电源（Standby Power Supply）设计，这类电路通常要求在极低负载下仍保持高效率，而2SK1323S的低静态功耗和快速开关能力正好满足这一需求。在消费类电子产品如电视、机顶盒、路由器等设备中，2SK1323S可用于辅助电源轨的供电管理，确保主系统关闭后仍有稳定的低压电源供应远程唤醒等功能模块。
　　在工业自动化领域，2SK1323S还可用于传感器供电单元或PLC内部的小功率电源模块，提供稳定可靠的直流电压输出。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化贴片生产线，提高了整机制造的一致性和良率。在照明控制系统中，尤其是需要调光或智能控制的LED灯具，2SK1323S可用于初级侧的恒流调节或PWM调光驱动电路，配合控制器实现精确的亮度控制。
　　总之，凭借其高耐压、小封装、高效率等优势，2SK1323S在多种需要安全隔离、高效转换和紧凑设计的电力电子系统中发挥着重要作用。

2SK1323, 2SK1324, 2SK1325, 2SK1326