型号：2SK1321
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：500 V
　　栅源电压VGS：±30 V
　　连续漏极电流ID：5 A（TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：20 A
　　功耗PD：50 W（TC=25℃）
　　导通电阻RDS(on)：≤ 0.6 Ω（典型值）
　　阈值电压VGS(th)：4.0 V ~ 6.0 V
　　输入电容Ciss：900 pF（@VDS=25V, VGS=0V）
　　输出电容Coss：280 pF（@VDS=25V, VGS=0V）
　　反向传输电容Crss：50 pF（@VDS=25V, VGS=0V）
　　开启延迟时间td(on)：25 ns
　　关断延迟时间td(off)：50 ns
　　工作结温Tj：-55 ℃ ~ +150 ℃
　　存储温度Tstg：-55 ℃ ~ +150 ℃
　　封装类型：SIP-7

2SK1321具备多项关键特性，使其在同类功率MOSFET中表现出色。首先，其高达500V的漏源击穿电压使得该器件能够应用于高压环境下的开关电源设计中，例如AC-DC适配器或离线式变换器，确保在输入电压瞬态升高时依然保持安全工作。其次，较低的导通电阻RDS(on) ≤ 0.6Ω有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体转换效率，这对于追求节能环保的应用尤为重要。
　　该器件采用了优化的硅栅极工艺，实现了快速的开关响应能力，开启延迟时间仅为25ns，关断延迟时间为50ns，这有助于减少开关过程中的交越损耗，特别适合高频PWM控制场景。同时，输入、输出及反向传输电容数值经过精心设计，平衡了噪声抑制与驱动速度之间的关系，避免因过大的寄生电容导致驱动电路负担加重。
　　另一个显著特点是其热稳定性良好。得益于SIP-7封装结构提供的优良散热路径，2SK1321在持续大电流工作条件下仍可维持较低的结温上升速率，延长使用寿命并提升系统可靠性。此外，器件具备较宽的工作温度范围（-55℃至+150℃），适应严苛的工业环境或高温密闭空间内的长期运行。
　　内置的体二极管不仅提供了反向续流通道，还能在桥式或同步整流拓扑中起到保护作用，防止感性负载引起的反电动势造成损坏。最后，±30V的栅源电压耐受能力增强了抗干扰能力，降低因栅极驱动异常而导致误触发的风险。这些综合优势使2SK1321成为中小功率电源系统中理想的开关元件选择。

2SK1321主要应用于各类中等功率的开关模式电源（SMPS）系统中，包括但不限于彩色电视机、液晶显示器（LCD）、LED背光驱动电源以及小型通用开关电源适配器等消费类电子产品。在这些设备中，它通常作为主开关管使用于反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中，负责将高压直流电通过高频切换转化为所需的低压输出，实现高效的能量转换。
　　此外，该器件也常见于DC-DC升压或降压转换器中，尤其适用于需要较高输入电压隔离等级的工业控制系统。例如，在自动化仪表、PLC电源模块或远程通信基站供电单元中，2SK1321因其稳定的电气性能和较强的抗干扰能力而被广泛采用。
　　在照明领域，特别是高压LED驱动电源设计中，2SK1321可用于构建恒流源电路，确保LED灯珠获得稳定的工作电流，延长使用寿命并提升发光效率。同时，由于其具备良好的动态响应特性，也可用于电机驱动电路中的低端开关控制，尤其是在小功率直流电机或步进电机的H桥驱动方案中表现优异。
　　值得一提的是，2SK1321还适用于一些需要高耐压和高可靠性的特殊应用场景，如医疗设备电源、安防监控系统供电模块以及车载逆变器中的辅助电源部分。总之，凭借其500V高耐压、低导通电阻和优异的开关性能，2SK1321在多种需要高效、稳定功率控制的电子系统中发挥着重要作用。

2SK1320
　　2SK1322
　　K2544
　　2SK2467