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2SK1320S 发布时间 时间:2025/12/28 4:12:49 查看 阅读:17

2SK1320S是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管,专为高效率开关应用设计,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及消费类电子产品中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力以及优良的热稳定性等特点,能够在较高的电压和电流条件下稳定工作。2SK1320S的最大漏源电压(VDS)可达600V,适合用于高压环境下的开关操作。其封装形式为TO-220SIS(宽体),具备良好的散热性能,并且引脚兼容标准TO-220封装,便于在现有电路中进行替换或升级。此外,该MOSFET内部通常集成了快速恢复体二极管,有助于减少外部元件数量并提升系统整体效率。由于其优异的电气特性和可靠性,2SK1320S常被用于AC-DC电源适配器、照明镇流器、小型逆变器以及其他工业控制设备中。为了确保长期稳定运行,建议在使用时配合适当的散热片,并注意栅极驱动信号的上升/下降时间以降低开关损耗。

参数

型号:2SK1320S
  极性:N沟道
  最大漏源电压(VDS):600V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  最大连续漏极电流(ID):7A
  最大脉冲漏极电流(IDM):28A
  最大功耗(PD):50W
  导通电阻(RDS(on) max):0.95Ω @ VGS = 10V
  阈值电压(VGS(th)):3.0V ~ 5.0V
  输入电容(Ciss):600pF @ VDS = 25V
  输出电容(Coss):140pF @ VDS = 25V
  反向传输电容(Crss):15pF @ VDS = 25V
  开启延迟时间(td(on)):25ns
  关断延迟时间(td(off)):70ns
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220SIS

特性

2SK1320S具备出色的电气性能与结构设计,使其在中高功率开关应用中表现出色。首先,其高达600V的漏源击穿电压保证了在高压环境下工作的安全裕度,适用于离线式开关电源等需要直接接入市电的应用场景。其次,该器件的低导通电阻(典型值低于0.95Ω)有效降低了导通状态下的功率损耗,提升了系统的整体能效,尤其在持续大电流工作条件下优势明显。同时,得益于优化的晶圆制造工艺,2SK1320S拥有较稳定的阈值电压范围(3.0V至5.0V),确保在不同工作温度下仍能实现可靠的开启与关闭控制。
  另一个关键特性是其良好的开关速度表现,输入电容和反向传输电容较小,使得栅极驱动电路所需提供的驱动功率较低,从而简化了驱动设计并减少了动态损耗。开启延迟时间和关断延迟时间分别仅为25ns和70ns左右,支持高频开关操作,适用于工作频率较高的电源拓扑如反激式(Flyback)或正激式(Forward)转换器。此外,器件采用TO-220SIS封装,不仅具备优良的散热能力,还通过加宽内部绝缘片实现了更高的漏极-散热片之间的绝缘耐压,增强了在高电压应用中的安全性。
  2SK1320S还具备较强的抗雪崩能力和热稳定性,在突发过压或负载突变情况下仍能维持一定时间的安全运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性,有助于抑制电压尖峰,减少电磁干扰(EMI)。综合来看,这些特性使2SK1320S成为一款可靠、高效且易于集成的功率MOSFET解决方案,特别适合对效率、体积和成本有较高要求的中小功率电源系统。

应用

2SK1320S广泛应用于多种电力电子领域,尤其是在需要高电压、中等电流开关功能的场合。其主要应用包括但不限于:开关模式电源(SMPS),例如笔记本电脑适配器、手机充电器、电视电源模块等,作为主开关管在反激或正激拓扑中执行能量转换任务;LED照明驱动电源,特别是在高亮度LED恒流驱动电路中,利用其高耐压和低导通损耗特性提高驱动效率;小型逆变器系统,如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中的DC-AC转换部分;工业控制设备中的继电器替代或电机驱动电路,实现无触点高速开关控制;此外,也常见于复印机、打印机等办公自动化设备的高压电源模块中。
  由于其封装具备良好的绝缘性能(TO-220SIS),2SK1320S可以直接安装在接地的金属散热片上而无需额外的绝缘垫片,在简化装配流程的同时提高了散热效率,因此在紧凑型电源设计中尤为受欢迎。在家电领域,如空调、洗衣机等变频控制板中,也可用于辅助电源或PFC(功率因数校正)电路中作为开关元件。总之,凡是涉及600V以下高压直流或交流整流后开关控制的应用,2SK1320S都能提供稳定、高效的性能支持。

替代型号

2SK1320, 2SK1321, 2SK1322, FQPF6N90, STP6NK90ZFP, KF6N90, IRFBC40

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