类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：1.5Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252
　　功率耗散(Pd)：50W

2SK131801具备多项优异特性，适用于多种高要求的功率应用。首先，其漏源耐压高达600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。其次，最大连续漏极电流为8A，满足中高功率负载的需求。此外，导通电阻Rds(on)最大为1.5Ω，在同类产品中处于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件的栅源电压范围为±20V，具备良好的栅极保护能力，避免因过高的驱动电压导致器件损坏。其快速开关特性使得它适用于高频开关电源和DC-DC转换器，有助于提高系统的响应速度和效率。封装方面，TO-220和TO-252形式提供了良好的散热性能，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。
　　此外，2SK131801具有良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境。内置的体二极管也使其在反向电流保护和续流应用中表现出色。这些特性使得该MOSFET成为工业电源、电机驱动、照明系统和消费类电子设备中不可或缺的元件。

2SK131801广泛应用于多个电子领域。在电源管理方面，该器件常用于AC-DC和DC-DC转换器中，作为主开关元件，以实现高效的能量转换。在电机控制领域，2SK131801可用于驱动直流电机或步进电机，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高电机效率并减少发热。
　　该MOSFET也常用于负载开关电路，例如智能电表、LED照明系统和电池管理系统中，用于控制负载的通断。在工业自动化设备中，2SK131801可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出模块，提供高可靠性和稳定的开关性能。
　　此外，该器件在消费类电子产品中也有广泛应用，如电源适配器、充电器、电磁炉和电热水壶等设备中，作为功率开关或保护元件。在新能源领域，2SK131801可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块中，发挥其高耐压和低损耗的优势。

2SK131801 的替代型号包括：IRF840、2SK2141、2SK2545、FQA8N60C、STP8NK60Z、FDPF8N60、SiHP8N60FD、NCE8N60、APT8N60B2、TK8A60D