类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：60V
　　漏极-栅极电压（Vdg）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A（在25°C时）
　　脉冲漏极电流（Idm）：720A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247

2SK130701 MOSFET具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著减少功率损耗，提高系统效率，这在高电流应用中尤为重要。其次，该器件的高耐压特性使其能够在60V的工作电压下稳定运行，适用于多种电源管理和转换应用。
　　此外，2SK130701采用了先进的沟槽式技术，优化了导通和开关性能，确保在高频操作下仍能保持良好的效率。同时，其较大的电流容量（高达180A）使得它适用于高功率密度的设计。TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件在高电流和高电压环境下的可靠性。
　　该MOSFET还具备良好的短路耐受能力和较高的热稳定性，使其在严苛的工作条件下也能保持稳定的性能。此外，±20V的栅极-源极电压容限提高了器件在高噪声环境中的鲁棒性，降低了栅极驱动电路的设计复杂度。综合来看，2SK130701是一款适用于高性能电源系统的功率MOSFET。

2SK130701广泛应用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，由于其高电流和高耐压特性，该器件也常用于电动车、储能系统和高功率LED照明驱动电路中。

SiHF180N60E、IRFP4468PbF、IXFH180N60P