2SK1276 时间：2025/8/9 6:50:36 阅读：32

2SK1276是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）公司制造。该晶体管设计用于高效率电源管理应用，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和负载开关。2SK1276具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和快速开关特性，使其适用于需要高效率和高性能的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值45mΩ（典型值35mΩ）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1V至3V
　　输入电容（Ciss）：约1500pF
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复型

特性

2SK1276的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的Rds(on)典型值为35mΩ，在高电流应用中能够有效减少发热。
　　此外，2SK1276采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供快速的开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为30A，适用于高功率密度设计。
　　其TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。
　　2SK1276还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保护器件免受损坏，提高了系统的可靠性。

应用

2SK1276广泛应用于各类电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和负载开关等。由于其高效率和快速开关特性，该器件常用于需要高效能和紧凑设计的电子产品中，如计算机电源、服务器电源、工业控制设备和消费类电子产品。在电池管理系统中，2SK1276可用于充放电控制电路，提供高效的能量传输。此外，该MOSFET还可用于LED驱动电路、逆变器和UPS（不间断电源）系统中，满足不同功率转换和控制需求。