类型：N沟道
　　最大漏极电压(Vdss)：900V
　　最大漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rdson)：典型值1.5Ω
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　栅极电压(Vgs)：±30V
　　漏极-源极击穿电压(BVdss)：900V
　　漏极-源极饱和电流(Idss)：8A
　　输入电容(Ciss)：约700pF
　　输出电容(Coss)：约200pF
　　反向传输电容(Crss)：约50pF

2SK1217是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有多个关键特性，使其在各类电源应用中表现出色。
　　首先，其高漏极电压（Vdss）达到900V，使其适用于高电压输入的电源系统，例如AC/DC转换器和开关电源（SMPS）。同时，8A的最大漏极电流能力确保了其在中等功率应用中的稳定运行。
　　其次，2SK1217的导通电阻（Rdson）典型值为1.5Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。低导通电阻对于减少热量产生、提高系统稳定性和延长使用寿命至关重要。
　　此外，该器件的封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，能够有效散发工作时产生的热量。这种封装也便于安装在散热片上，进一步增强散热效果。
　　2SK1217的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的温度适应性，适用于各种环境条件下的应用。同时，其存储温度范围同样宽泛，确保了器件在不同储存条件下的可靠性。
　　输入电容（Ciss）约为700pF，输出电容（Coss）约为200pF，反向传输电容（Crss）约为50pF。这些电容值影响着MOSFET的开关速度和性能，较低的电容值有助于提高开关效率，减少开关损耗。
　　最后，2SK1217具备较高的栅极电压耐受能力，±30V的栅极电压范围确保了其在复杂电路中的稳定运行，避免了因栅极电压波动而导致的损坏风险。

2SK1217的应用范围广泛，主要集中在需要高效能和高可靠性的功率电子系统中。
　　其中，开关电源（SMPS）是其典型应用之一。2SK1217的高电压和电流能力，使其非常适合用于AC/DC转换器中的主开关器件，帮助提高电源转换效率并减少热量产生。
　　此外，该器件也常用于DC/DC转换器中，例如在电源模块、电池充电器和负载管理电路中。由于其低导通电阻和高效率特性，能够有效降低能量损耗，提高整体系统性能。
　　2SK1217还可用于电机驱动电路，例如在无刷直流电机（BLDC）控制和工业自动化系统中。其高耐压和大电流能力确保了电机驱动电路的稳定运行，同时具备较强的过载能力。
　　在照明系统中，特别是LED照明，2SK1217也常用于恒流驱动电路中，帮助实现高效、稳定的照明效果。
　　另外，该器件也可用于逆变器系统，例如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中，作为关键的开关元件，实现高效的能量转换和管理。
　　总之，2SK1217凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各类功率电子系统中，是工程师在设计高效能电源解决方案时的常用选择。

2SK1332, 2SK1176, 2SK2465, IRF840, IRF830