2SK118-Y 时间：2025/8/4 19:05:50 阅读：37

2SK118-Y 是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件由东芝（Toshiba）公司生产，具有较高的导通性能和较低的导通电阻，适用于中高功率的开关应用。2SK118-Y采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，适合在各种工业和消费类电子设备中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（典型值）
　　功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

2SK118-Y 具有以下显著特性：
　　首先，它具有较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。在许多电源转换和电机控制应用中，这一特性尤为重要。
　　其次，该器件的最大漏极电流可达30A，适用于较高功率的开关应用。同时，漏-源电压（VDS）最大为60V，能够满足大多数中低压功率电路的需求。
　　此外，2SK118-Y 采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率下稳定工作，适合需要长时间运行的工业设备和电源系统。
　　其栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗干扰能力，适用于多种栅极驱动电路设计。
　　最后，该器件具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于各种环境条件下的稳定运行。

应用

2SK118-Y 主要应用于以下领域：
　　在电源管理系统中，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电池充电器中，作为主开关元件，利用其低导通电阻和高电流能力提高效率。
　　在电机控制电路中，用于驱动直流电机或步进电机，其高电流承载能力可确保电机在启动和负载变化时稳定运行。
　　在逆变器和UPS（不间断电源）系统中，作为功率开关器件，实现高效的能量转换。
　　此外，该器件也适用于LED照明驱动、功率放大器、电焊机和电镀电源等应用场合。
　　由于其良好的散热性能和稳定的电气特性，2SK118-Y 也常用于工业自动化设备、汽车电子系统以及消费类电子产品中的功率控制模块。