2SK1161 时间：2025/9/7 16:03:54 阅读：3

2SK1161是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件以其高耐压、低导通电阻和高可靠性著称，适用于DC-DC转换器、开关电源、马达驱动器等高功率场合。2SK1161采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：250V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：8A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

2SK1161具有出色的电气性能和热稳定性，其主要特点包括高耐压能力和低导通电阻，使其在高功率应用中表现出色。
　　该器件的导通电阻较低，能够有效减少导通损耗，提高整体系统效率。同时，2SK1161的栅极电荷（Qg）较小，有助于提高开关速度，降低开关损耗，非常适合高频开关电源设计。
　　此外，2SK1161具备较高的热阻稳定性，能够在较高温度下稳定运行，确保长期使用的可靠性。其TO-220封装结构也便于安装散热片，进一步提升散热效果。
　　该MOSFET还具备良好的抗静电能力和过载保护性能，适用于各种恶劣工作环境。

应用

2SK1161主要用于各种电源管理与功率控制电路中，常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、LED驱动器以及马达控制电路。
　　在工业自动化领域，2SK1161常用于PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器中的电源模块，提供稳定的高电流输出。
　　在消费电子产品中，如电源适配器、电源管理模块等，2SK1161也因其高效能和高可靠性而被广泛采用。
　　此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）等对可靠性和效率要求较高的场合。