时间：2025/8/20 17:09:48
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2SK1104Q 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET设计用于高频开关应用，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适合在电源管理、DC-DC转换器、电机控制和各种高频率电子电路中使用。2SK1104Q 通常采用SOT-23或类似的小型表面贴装封装，便于在高密度PCB设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100mA
功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
2SK1104Q 具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。其高速开关特性使其非常适合用于高频DC-DC转换器和其他需要快速开关的应用场景。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，在高温度环境下也能保持稳定工作。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可以在+10V至+15V之间正常工作，确保了其在不同驱动电路中的兼容性。2SK1104Q还具有良好的抗静电能力，能够在一定程度上防止静电放电（ESD）造成的损坏。
由于其小型封装和优异的电气性能，2SK1104Q广泛用于便携式电子产品、通信设备和工业控制系统中。
2SK1104Q 主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、LED驱动电路、低功率电机控制电路以及各种便携式电子设备中的电源管理模块。此外，它还可用于信号切换、逻辑电路和电池管理系统中的开关控制。
2SK1104Q 可以使用 2SK1104 或 2SK1104-Y 作为替代型号。如果需要更高电流或不同封装的器件，可以选择 2N7002 或 2SK3018 等类似的N沟道MOSFET。
