类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SK1104Q 具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。其高速开关特性使其非常适合用于高频DC-DC转换器和其他需要快速开关的应用场景。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，在高温度环境下也能保持稳定工作。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可以在+10V至+15V之间正常工作，确保了其在不同驱动电路中的兼容性。2SK1104Q还具有良好的抗静电能力，能够在一定程度上防止静电放电（ESD）造成的损坏。
　　由于其小型封装和优异的电气性能，2SK1104Q广泛用于便携式电子产品、通信设备和工业控制系统中。

2SK1104Q 主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、LED驱动电路、低功率电机控制电路以及各种便携式电子设备中的电源管理模块。此外，它还可用于信号切换、逻辑电路和电池管理系统中的开关控制。

2SK1104Q 可以使用 2SK1104 或 2SK1104-Y 作为替代型号。如果需要更高电流或不同封装的器件，可以选择 2N7002 或 2SK3018 等类似的N沟道MOSFET。