2SK1091 时间：2025/8/9 14:06:30 阅读：28

2SK1091 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等领域。该晶体管具有高开关速度、低导通电阻和良好的热稳定性，适合高频开关操作和高效率的电源系统设计。2SK1091采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合中高功率应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：32A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（典型值）
　　耗散功率（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK1091 具有多个优良的电气和热性能特性，适用于多种功率电子应用。其高漏源电压（100V）和较高的连续漏极电流（8A）使其适合中高功率的开关电源设计。该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）仅为0.35Ω，有效降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。
　　此外，2SK1091支持高达32A的脉冲漏极电流，使其在短时间内能承受较大的负载电流，增强了其在电机驱动、开关稳压器等高动态负载应用中的适应能力。其TO-220封装结构具备良好的散热能力，能够有效降低工作温度，提升器件的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET的栅源电压最大为20V，确保了在不同控制电路下的兼容性，同时具备较强的抗过压能力。器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级环境条件，具有良好的温度稳定性。
　　总体而言，2SK1091是一款性能稳定、适用性广的功率MOSFET，特别适用于需要高效、高频开关操作的电源系统、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等应用。

应用

2SK1091 主要应用于电源管理和功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池充电器、LED照明驱动电路以及工业控制设备中的功率开关元件。其低导通电阻和高耐压特性也使其适合用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和功率因数校正（PFC）电路中。此外，由于其良好的热稳定性和封装散热性能，该器件也广泛用于汽车电子系统、通信设备电源模块和自动化控制系统中。