2SK1085-M 时间：2025/8/9 13:06:15 阅读：32

2SK1085-M是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源转换器、电机驱动、DC-DC转换器等应用。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻和高功率密度的特点，使其在高负载电流条件下依然保持良好的热性能。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：120A
　　导通电阻(Rds(on))：2.7mΩ（典型值）@Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247AD

特性

2SK1085-M的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为2.7mΩ，使得该器件非常适合用于高电流应用。
　　该MOSFET采用先进的沟槽式结构，优化了载流子流动路径，提高了导通能力和热稳定性。此外，2SK1085-M的封装形式为TO-247AD，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　该器件的最大漏源电压为60V，最大连续漏极电流可达120A，满足高功率应用对电流承载能力的需求。栅极驱动电压范围为±20V，通常在10V驱动电压下即可实现充分导通，确保快速开关和低损耗操作。
　　工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于各种恶劣工作环境，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、电源模块、电动车驱动系统等高要求场景。

应用

2SK1085-M广泛应用于高功率DC-DC转换器、电源供应器、电机控制、电动车驱动系统、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）等场景。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效能、高可靠性的功率开关场合。
　　在电源模块中，2SK1085-M可作为主开关器件，用于实现高效率的功率转换；在电机驱动系统中，该MOSFET可提供高电流输出，满足快速响应和高效控制的需求。
　　此外，该器件也可用于高频开关应用，如同步整流电路、PWM控制电路等，能够有效降低开关损耗，提高整体系统效率。其优异的热性能和可靠性使其在工业自动化、电动汽车、可再生能源系统等领域具有广泛应用前景。