时间：2025/5/8 11:17:30
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2SK1069-4-TL-E是一款高性能的N沟道场效应晶体管（MOSFET），主要应用于高频功率放大器、射频开关和功率转换电路等领域。该器件采用TO-3金属封装，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合在高功率和高频环境下工作。
型号：2SK1069-4-TL-E
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-3金属封装
最大漏源电压：70V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：15A
导通电阻：0.18Ω
总栅电荷：35nC
开关时间：开通时间100ns，关断时间50ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
2SK1069-4-TL-E具有出色的电气性能和可靠性。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高效率。此外，该器件的高击穿电压和大电流承载能力使其能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。同时，它还具备快速的开关速度，能够满足高频应用的需求。
这款MOSFET适用于需要高可靠性和高效能的场景，例如射频功率放大器、工业控制设备和通信系统中的电源管理部分。由于其良好的热性能，即使在极端温度下也能保持稳定的性能。
该器件广泛用于以下领域：
1. 射频功率放大器
2. 高频开关电路
3. 工业控制设备
4. 通信系统中的功率转换模块
5. 高压直流电机驱动
6. 航空航天与国防领域的电源解决方案
其强大的电流处理能力和高速开关特性使得2SK1069-4-TL-E成为众多高要求应用场景的理想选择。
2SK1069-4-TL-D, 2SK1069-4-TL-F
