型号：2SK1013(-01)
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600 V
　　漏极电流（Id）：1.0 A（连续）
　　脉冲漏极电流（Idm）：4.0 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值7.0 Ω（在Vgs=10V时）
　　阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约520 pF（在Vds=25V, f=1MHz时）
　　输出电容（Coss）：约100 pF
　　反向传输电容（Crss）：约25 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：约15 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约45 ns
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

2SK1013(-01)具备多项优异的电气和物理特性，使其在中高压功率开关应用中表现出色。首先，其高达600V的漏源击穿电压（Vds）使其适用于多种离线式开关电源拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）等，在交流输入电压整流后的高压直流母线上稳定工作。即使在电网电压波动较大的情况下，也能确保足够的电压裕量，避免因过压导致器件击穿。
　　其次，该MOSFET的导通电阻Rds(on)在Vgs=10V时典型值为7.0Ω，虽然相较于现代超结MOSFET略高，但在同类传统平面工艺器件中仍属合理水平。较低的导通电阻意味着更小的导通损耗，有助于提高电源系统的整体效率，特别是在轻载至中等负载条件下表现良好。配合良好的散热设计，可在长时间运行中保持较低的工作温度，延长使用寿命。
　　再者，2SK1013(-01)具有较快的开关速度，得益于其较小的输入、输出及反馈电容（Ciss、Coss、Crss），这降低了驱动电路所需的功耗，并减少了开关过程中的交越损耗。这对于高频工作的电源设计尤为重要，可支持几十kHz到上百kHz的开关频率运行，从而减小磁性元件体积，实现电源的小型化。
　　此外，该器件采用TO-252封装，具有较强的机械稳定性和良好的热传导性能。通过将散热片直接焊接至PCB上的大面积铜箔，可以有效降低热阻，提升功率处理能力。这种封装形式也便于自动化贴片生产，适用于大规模制造环境，提升了生产效率和一致性。
　　最后，2SK1013(-01)具备一定的抗雪崩能力和抗静电能力，内部结构经过优化以承受瞬态电压冲击，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。其栅极氧化层设计能够耐受±30V的栅源电压，防止误触发或损坏。这些特性共同保障了其在复杂电磁环境下的可靠运行。

2SK1013(-01)主要应用于各类中小功率开关电源系统中，尤其适合用于离线式AC-DC转换器的设计。常见应用场景包括手机充电器、LED驱动电源、家用电器电源模块、工业传感器供电单元以及小型适配器等。由于其具备600V的高耐压能力，可以直接连接整流后的市电母线电压，无需额外的降压预调节电路，简化了系统设计。
　　在反激式变换器拓扑中，2SK1013(-01)常作为主开关管使用，负责周期性地切断和接通变压器初级侧电流，实现能量从初级向次级的传递。其快速的开关响应能力和适度的导通电阻使其在该拓扑下既能保证效率，又不会产生过高的温升。配合合适的PWM控制器，可实现稳定的输出电压调节。
　　此外，该器件也可用于DC-DC升压或降压转换器中，尤其是在输入电压较高的工业控制系统中，例如24V或48V转低压的电源模块。在这些应用中，2SK1013(-01)作为主动开关元件参与能量转换过程，利用其良好的开关特性和热稳定性维持长期可靠运行。
　　在LED照明领域，尤其是集成恒流驱动的隔离型LED灯泡或筒灯中，2SK1013(-01)被广泛采用。这类灯具对元器件的寿命和可靠性要求较高，而该MOSFET的成熟工艺和稳定供货历史使其成为许多设计师的首选。
　　另外，由于其封装为表面贴装型（TO-252），非常适合现代自动化生产线，因此在需要批量生产的消费类电子产品中尤为受欢迎。即使随着更新型器件的推出，2SK1013(-01)因其性价比高、资料齐全、易于替代等特点，仍在市场上保有较大份额。

2SK1013-01
　　2SK1013S
　　STP1NB60
　　2SK2093
　　2SK2588
　　FQP1N60C