时间：2025/12/29 15:18:55
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2SJ6810D是一款P沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于各种电子设备中的开关和功率调节功能。
类型：P沟道
最大漏极电流：-10A
最大漏-源电压：-30V
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs = -10V
栅极阈值电压：-1.5V ~ -3.0V
封装类型：SOP
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
2SJ6810D以其优异的导通性能和高可靠性著称。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下依然保持较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。
此外，这款MOSFET采用了先进的硅工艺技术，使其在高温度环境下仍能稳定工作，增强了器件的耐用性和长期可靠性。
2SJ6810D的封装设计适用于表面贴装技术（SMT），方便在现代电子产品中进行自动化生产与装配，同时也具备良好的散热性能，能够有效地将热量传导出去，避免器件过热损坏。
该器件的栅极驱动要求较低，能够在较宽的栅极电压范围内正常工作，这使得其在多种应用中都非常灵活和易于使用。
2SJ6810D常用于电源管理电路、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关以及各种需要高效率和高可靠性的功率控制场合。由于其出色的性能和稳定性，它也广泛应用于工业控制、通信设备和消费电子产品中。
Si2301DS, FDS6680, AO4407
