时间：2025/9/21 12:17:19
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2SJ645-TL-E是一款由东芝（Toshiba）生产的P沟道功率MOSFET晶体管，采用先进的沟槽式场栅极结构技术，专为高效、低导通电阻的应用而设计。该器件封装在小型表面贴装SOT-23（SC-88A）封装中，适合空间受限的便携式电子设备和高密度PCB布局。由于其优异的电气性能和小型化设计，2SJ645-TL-E广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的开关控制电路。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，确保在现代绿色电子产品中的兼容性与可靠性。
型号：2SJ645-TL-E
极性：P沟道
漏源电压（Vds）：-30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-4.4A（@ Vgs = -10V）
脉冲漏极电流（Idm）：-17.6A
功耗（Pd）：1W（@ Ta=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（@ Vgs = -10V）
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（@ Vgs = -4.5V）
阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23（SC-88A）
安装方式：表面贴装
2SJ645-TL-E采用东芝先进的沟槽式场效应结构，这一设计显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而提高了整体能效并减少了热损耗。该器件在Vgs为-10V时的典型Rds(on)仅为35mΩ，在更低的驱动电压如-4.5V下仍可保持45mΩ的低阻值，使其非常适合用于对效率要求较高的低压电源系统。低Rds(on)不仅有助于减少功率损耗，还能提升系统的整体热稳定性，延长设备使用寿命。
该MOSFET具有出色的开关特性，具备快速的开启和关断响应能力，能够有效降低开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用如同步整流和DC-DC转换器。此外，其栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路所需的能量，进一步提升了系统的能源效率。
器件的热性能经过优化，在1W的最大功耗下，能够在合理的温度上升范围内稳定运行，配合良好的PCB散热设计可实现更佳的热管理效果。工作结温范围达到-55°C至+150°C，表明其在极端环境条件下仍能保持稳定性能，适用于工业级和汽车级应用场景。
SOT-23封装不仅体积小巧，便于集成到紧凑型设备中，还支持自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。同时，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）等，确保长期使用的稳定性与安全性。
2SJ645-TL-E广泛应用于各类需要高效开关控制的小功率电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载切换，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于控制电池供电路径或模块电源的启停。其低导通电阻和小封装特性使其成为理想的选择。
在DC-DC转换器拓扑结构中，该器件可用于同步整流或低端开关配置，提高转换效率并减少发热。此外，它也常用于电压反转电路、恒流源控制以及电机驱动中的低边开关应用。
工业控制领域中，2SJ645-TL-E可用于传感器模块、PLC输入输出接口、继电器替代方案中的固态开关设计。在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电控制开关，提供可靠的通断能力。
由于其符合RoHS标准且支持无铅焊接，适用于现代环保型电子产品的大规模生产，尤其适合需要高可靠性与小型化的嵌入式系统设计。
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"2SJ355-TL-E",
"2SJ646-TL-E",
"DMG2304UX",
"AO3401A",
"Si2301DS"
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