型号：2SJ636
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-50V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.1A（@Vgs = -10V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　最大功耗（Pd）：1W（@Ta=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω（@Vgs = -10V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

2SJ636 P沟道MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构设计，这种结构能够显著降低器件的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。该器件在Vgs为-10V时，典型Rds(on)仅为45毫欧，这使得它非常适合用于对能效要求较高的低压电源管理系统中。低导通电阻不仅有助于减小发热，还能提升负载驱动能力，使电路在大电流输出下仍保持稳定性能。
　　该MOSFET具备优异的开关特性，具有较快的上升和下降时间，能够实现高频开关操作，适用于DC-DC转换器、同步整流等高频应用场景。其栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路的能量消耗，同时降低了开关过程中的动态损耗，进一步提升了系统的能量利用率。此外，2SJ636的阈值电压范围合理（-1.0V至-2.5V），确保了在不同输入电压条件下都能可靠地开启与关断，避免误触发或导通不完全的问题。
　　在可靠性方面，2SJ636通过了严格的工业标准测试，具备良好的热稳定性和抗冲击能力。其最大结温可达150°C，支持在高温环境下长时间运行。器件还内置了一定程度的ESD保护机制，增强了在实际装配和使用过程中的抗干扰能力。SOT-23小型封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，配合适当的PCB布局可有效传导热量，延长器件寿命。此外，该器件无铅（RoHS合规），符合现代环保法规要求，适用于消费类电子、工业控制及便携式设备等多种领域。

2SJ636广泛应用于各类低电压、中等功率的电源管理电路中。其主要用途包括便携式电子设备中的负载开关控制，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的电池供电路径管理，能够实现对不同功能模块的独立上电与断电，从而降低待机功耗，延长续航时间。
　　在DC-DC转换器电路中，2SJ636常作为同步整流器或高端开关使用，特别是在降压（Buck）转换拓扑中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率，减少能量损失。此外，该器件也适用于过压/过流保护电路、电机驱动控制、LED驱动电源以及各种需要P沟道MOSFET进行电平转换或电源通断控制的场景。
　　由于其小型化封装和高可靠性，2SJ636特别适合用于空间受限的高密度印刷电路板设计，例如穿戴式设备、医疗监控仪器、物联网终端等。在工业自动化系统中，也可用于继电器驱动、传感器供电控制等低功耗开关应用。总之，凡是需要高效、小型、可靠的P沟道MOSFET的场合，2SJ636都是一个理想的选择。

Si2301DS
　　AOD403
　　FDD8872