2SJ560-TD 时间：2025/12/28 10:15:02 阅读：10

2SJ560-TD是一款由东芝（Toshiba）公司生产的P沟道MOS场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电路和负载切换等电子系统中。该器件采用先进的沟槽式栅极结构制造工艺，能够在较低的导通电阻条件下实现高效的功率控制。2SJ560-TD封装形式为小型表面贴装型SOP-4（或称TSOP-4），具有较小的体积和良好的热稳定性，适用于高密度组装的印刷电路板设计。其主要特点是具备较高的耐压能力、快速的开关响应速度以及优异的抗噪声性能，适合在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他消费类电子产品中作为负载开关或电源开关使用。此外，该器件还具备良好的温度稳定性，可在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性，从而提高了系统的可靠性与安全性。由于采用了环保材料制造，并符合RoHS指令要求，2SJ560-TD也满足现代电子产品对绿色环保的严格标准。

参数

型号：2SJ560-TD
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.1A（@Vgs = -10V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　导通电阻（Rds(on)）：37mΩ（@Vgs = -10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：47mΩ（@Vgs = -4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：800pF（@Vds = -15V, Vgs = 0V）
　　输出电容（Coss）：380pF
　　反向传输电容（Crss）：90pF
　　栅极电荷（Qg）：12nC（@Vds = -20V, Id = -4A）
　　功耗（Pd）：1.5W（TC = 25°C）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-4（TSOP-4）

特性

2SJ560-TD具备多项优异的技术特性，使其在同类P沟道MOSFET产品中表现出色。首先，其低导通电阻是该器件的核心优势之一，在Vgs = -10V时Rds(on)仅为37mΩ，而在实际应用中常见的Vgs = -4.5V条件下仍可维持47mΩ的低阻值，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。其次，该器件采用东芝专有的沟槽式MOSFET结构，优化了载流子迁移路径，增强了电流驱动能力，同时改善了热分布均匀性，有助于提升长期工作的可靠性。第三，2SJ560-TD具有较快的开关速度，得益于其较低的栅极电荷（Qg = 12nC）和适中的寄生电容参数，能够有效减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用场合。此外，其阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了在不同控制信号电平下均能可靠开启，兼容多种逻辑驱动电路。该器件还具备良好的热稳定性，最大功耗为1.5W（在25°C环境温度下），结合SOP-4封装的良好散热设计，可在有限空间内实现高效散热。更重要的是，2SJ560-TD内置一定的ESD保护能力，增强了在生产装配和实际使用过程中的抗静电冲击性能。最后，该器件符合RoHS环保规范，不含铅、镉等有害物质，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造的需求，广泛用于工业控制、通信模块及消费类电子产品中的电源管理单元。
　　

应用

2SJ560-TD主要用于需要高效、小型化P沟道MOSFET的电源开关和负载控制场景。典型应用包括便携式电子设备中的电池电源开关，用于控制主电源通断以实现节能待机或系统关机功能。在DC-DC转换器电路中，它可作为同步整流或高端开关元件，配合N沟道MOSFET完成电压转换任务。此外，该器件常被用于各类负载开关电路，例如为显示屏背光、外设模块或传感器供电的独立电源控制，通过逻辑信号精确启停相应功能模块，达到节能目的。在热插拔电路设计中，2SJ560-TD也能发挥软启动和浪涌电流抑制的作用，防止接通瞬间产生过大电流冲击损坏系统。由于其具备良好的噪声抑制能力和稳定的电气特性，该器件同样适用于音频设备、医疗电子仪器等对电磁干扰敏感的应用领域。在工业控制系统中，可用于PLC模块、继电器驱动或电机控制电路中的信号切换部分。另外，得益于其小型化封装和表面贴装特性，2SJ560-TD非常适合高密度PCB布局，广泛应用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、物联网终端等紧凑型电子产品中。其可靠的性能表现和成熟的供应链支持，使其成为工程师在中低压P沟道开关应用中的优选器件之一。
　　