类型：P沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：-30V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：-100mA
　　功耗(Pd)：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）

2SJ551STL 具备一系列优良的电气和物理特性，确保其在多种电子应用中稳定运行。
　　首先，该器件的漏极-源极电压（Vds）为-30V，允许其在中等电压范围内工作，适用于多数低压电源管理系统。栅极-源极电压最大为±20V，使其在控制电路中具备较高的电压容忍度，避免因过压导致的损坏。
　　其次，2SJ551STL 的连续漏极电流为-100mA，虽然电流承载能力相对较小，但足以应对低功耗开关控制和信号路径切换等应用。此外，其最大功耗为200mW，配合SOT-23封装良好的散热设计，可以在紧凑空间中稳定工作。
　　该器件的封装形式为SOT-23（也称为SC-59），是一种常见的表面贴装封装，具有体积小、重量轻、便于自动化生产和焊接的优点，适合高密度印刷电路板（PCB）设计。
　　另外，2SJ551STL 的工作温度范围为-55°C至150°C，表现出良好的高低温稳定性，适用于工业级和消费类电子产品中对温度适应性要求较高的场景。
　　总体来看，2SJ551STL 是一款适用于低功耗、中等电压控制的P沟道MOSFET，凭借其优良的电气特性、紧凑的封装和宽泛的工作温度范围，在电源管理、负载开关、信号切换等应用中具有广泛的应用价值。

2SJ551STL 主要应用于需要低功耗、中等电压控制的电子系统中，例如：
　　1. 电源管理系统中的负载开关控制。
　　2. 电池供电设备中的电源切换电路。
　　3. 数字逻辑电路中的电平转换和信号隔离。
　　4. 小型电子设备中的直流电机驱动或LED背光控制。
　　5. 工业控制系统中用于信号路径选择和低功耗待机模式管理。

2SJ355, 2SJ103, 2SJ162, 2SJ550