2SJ550是一款常用的P沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适用于多种功率电子设备。
类型:P沟道MOSFET
最大漏极电压(Vds):60V
最大源极电压(Vss):60V
最大栅极电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):-4A
导通电阻(Rds(on)):约0.85Ω(典型值)
最大工作温度:150℃
封装类型:TO-92
2SJ550的主要特性之一是其优异的导通性能,能够在较高的电流下保持较低的电压降,从而减少能量损耗并提高系统效率。该器件的导通电阻在典型工作条件下仅为0.85Ω,这使得其在小型电源管理系统中表现出色。
此外,2SJ550具有较高的耐压能力,最大漏极-源极电压可达60V,适用于多种中高功率应用场景。其栅极电压范围为±20V,具有较强的抗过压能力,确保在复杂环境中稳定工作。器件的封装形式为TO-92,这种小型封装便于安装在紧凑的电路板上,并具备良好的散热性能。
2SJ550广泛应用于各类电子设备中的电源管理与开关控制电路。例如,在DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关中,该器件能够有效控制电流流向并实现高效能量转换。此外,它也常用于逆变器、电机驱动器和继电器替代电路中,提供可靠的开关功能。
2SJ100, 2SJ162, 2SJ30, IRF9520