2SJ518AZ 时间：2025/9/7 17:38:37 阅读：4

2SJ518AZ 是一款 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各类电子设备中的电源管理与开关应用。该器件由东芝（Toshiba）公司生产，具有低导通电阻、高耐压以及良好的热稳定性，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等应用场景。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：-60V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id（在 25°C 下）：-3.5A
　　导通电阻 Rds(on)（最大值）：0.16Ω @ Vgs = -10V；0.23Ω @ Vgs = -4.5V
　　功耗（Tamb=25°C）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

2SJ518AZ 具备多项优良的电气和热性能特性。其 P 沟道结构使其在高侧开关应用中表现出色，尤其适合于同步整流和负载开关等场景。该器件的低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该 MOSFET 具备较高的栅极绝缘能力，最大栅源电压可达 ±20V，增强了其在高压环境下的可靠性。2SJ518AZ 的 TO-220AB 封装设计具有良好的散热性能，确保在较高电流负载下仍能保持稳定运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。
　　在动态性能方面，2SJ518AZ 的开关速度快，输入电容（Ciss）约为 420pF，输出电容（Coss）约为 100pF，反向传输电容（Crss）约为 30pF，这些参数使其适用于高频开关电路。此外，该器件的热阻（Rth(j-c)）为 40°C/W，有助于在高功率操作下保持较低的结温，从而延长器件的使用寿命。

应用

2SJ518AZ 主要用于需要高可靠性和高效能的电源管理与开关电路中。其典型应用包括 DC-DC 升压和降压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（如笔记本电脑和便携设备的电源管理）、工业自动化设备的电源控制模块以及汽车电子系统中的功率控制单元。此外，由于其良好的导通特性和热稳定性，2SJ518AZ 也适用于 UPS（不间断电源）、通信设备电源模块和 LED 驱动电路等应用领域。