2SJ506STR 是一款由东芝(Toshiba)制造的 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频率开关应用和功率放大器。该器件采用先进的制造工艺,具有优异的导通电阻、开关速度和热稳定性。2SJ506STR 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统以及工业控制设备中。这款晶体管封装为小型表面贴装形式,适合高密度 PCB 设计。
类型:P 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds:-60V
栅源电压 Vgs:±20V
连续漏极电流 Id:-4A
导通电阻 Rds(on):≤0.45Ω @ Vgs = -10V
功耗 Pd:1W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-223
2SJ506STR 具备多项优异特性,使其在多种功率应用中表现卓越。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗,提高整体系统效率。此外,该器件具有快速的开关特性,适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等需要快速响应的应用场景。
其次,2SJ506STR 的栅极驱动电压范围较宽(±20V),便于与多种驱动电路兼容,同时具备良好的抗静电能力,提升了器件在复杂工作环境下的可靠性。其热稳定性优异,能在高温环境下稳定运行,适用于工业级应用要求。
该器件采用 SOT-223 封装,具有良好的散热性能和较小的封装体积,便于在紧凑型电路板中布局,适合现代电子设备中对空间和功耗的严格要求。此外,其表面贴装封装形式也提高了自动化生产的效率,降低了制造成本。
总体而言,2SJ506STR 凭借其高性能参数、良好的稳定性和紧凑的封装设计,广泛适用于多种功率管理和开关控制应用,是工业、消费类和通信设备中理想的功率器件选择。
2SJ506STR 主要应用于需要高效功率控制和快速开关的电路中。其常见用途包括 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统、电池供电设备、便携式电子产品、工业自动化控制系统以及功率放大器等。在消费类电子产品中,它可用于电源管理模块,实现高效的电能转换与分配。在工业设备中,该 MOSFET 可用于电机驱动、继电器替代和电源控制电路。此外,它也适用于通信设备中的电源调节模块和开关稳压器,确保系统稳定运行。
2SJ506, 2SJ506S, 2SJ507, 2SJ508, 2SJ509, 2SJ510