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2SJ494-AZ 发布时间 时间:2025/7/14 15:38:32 查看 阅读:11

2SJ494-AZ 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的P沟道功率MOSFET晶体管,主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用。该器件采用SOT-223封装形式,具备良好的散热性能和较高的电流承受能力,适合于需要高效能与小型化设计的电路中。

参数

类型:P沟道
  最大漏源电压(Vds):-100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):-4.5A(在Tc=25℃时)
  导通电阻(Rds(on)):约0.8Ω @ Vgs = -10V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-223

特性

2SJ494-AZ 具备低导通电阻,这有助于降低开关损耗并提高整体系统效率。其P沟道结构使其在高端开关应用中特别有用,因为不需要额外的驱动电路即可实现高边开关功能。
  此外,这款MOSFET具有快速切换能力,适用于高频操作环境,从而允许使用更小的外部组件,如电感和电容,进一步减小PCB空间占用。SOT-223封装不仅提供了良好的热管理性能,还支持表面贴装工艺,增强了制造过程中的灵活性。
  该器件的稳定性和可靠性也经过优化,能够在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能,因此非常适合工业级和消费类电子设备的设计。

应用

2SJ494-AZ MOSFET广泛应用于多种电源管理领域,包括但不限于AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池充电电路以及电机控制模块。由于其优异的开关特性和高耐压能力,它也常用于LED照明驱动、负载开关控制及各类嵌入式系统的电源管理部分。
  在具体设计中,工程师可以将其用作反激式变换器中的主开关元件,或者作为同步整流器以提升效率。同时,在需要隔离式供电方案的情况下,例如隔离型电源模块或电信设备电源系统中,该器件也能发挥重要作用。

替代型号

2SJ504, 2SJ349

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2SJ494-AZ参数

  • 典型关断延迟时间310 ns
  • 典型接通延迟时间25 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs74 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds2360 pF V @ 10
  • 安装类型通孔
  • 宽度4.5mm
  • 封装类型TO-220
  • 尺寸10 x 4.5 x 9mm
  • 引脚数目3
  • 最低工作温度-55 °C
  • 最大功率耗散2000 mW
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压60 V
  • 最大漏源电阻值0.05
  • 最大连续漏极电流20 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别功率 MOSFET
  • 通道模式增强
  • 通道类型P
  • 配置
  • 长度10mm
  • 高度9mm