时间：2025/9/7 17:17:37
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2SJ484WYTL 是一款由东芝（Toshiba）制造的P沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机控制等应用中。该器件采用SOT-223封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合高频操作和高效能应用。
类型：P沟道MOSFET
漏极电流（ID）：最大-3A
漏极-源极电压（VDS）：最大-30V
栅极-源极电压（VGS）：最大±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大0.06Ω @ VGS = -10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-223
2SJ484WYTL 是一款高性能的P沟道MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on)）特性，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件支持高达-3A的漏极电流和-30V的漏极-源极电压，适用于多种中低功率应用。其较高的栅极-源极电压耐受能力（±20V）使其在设计时具有更高的可靠性和灵活性。
此外，该MOSFET采用SOT-223封装，具有良好的热稳定性和散热性能，适用于紧凑型PCB设计。其快速开关特性使其适用于高频操作环境，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及负载开关电路。
2SJ484WYTL 的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业环境，并具备较强的温度耐受能力。该器件符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品设计。
2SJ484WYTL 常用于各种电子设备的电源管理系统中，如电池供电设备、便携式电子产品、小型电源适配器、DC-DC转换器、电机控制器、负载开关、逆变器等。其高效率和快速开关特性也使其在工业自动化设备、通信设备以及汽车电子系统中得到广泛应用。
Si4435BDY-T1-GE3, AO4406A, FDS6680, 2SJ486
