时间：2025/8/9 3:27:49
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2SJ476-01S-TE24R是一款P沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由东芝（Toshiba）公司生产。该器件主要用于高效率的功率管理应用，例如DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，从而确保在高电流条件下依然能够稳定运行。其SOT-23封装形式使其非常适合空间受限的应用。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：-150mA
导通电阻(Rds(on))：1.8Ω @ Vgs = -10V
功率耗散(Pd)：200mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
2SJ476-01S-TE24R具备多项优异的电气和热性能特点。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的沟槽式结构设计优化了导通性能并增强了热稳定性，使得在高负载条件下依然能够可靠工作。该MOSFET的栅极设计支持快速开关操作，从而减少开关损耗并提高响应速度。
采用SOT-23封装形式，使得该器件在小型化电路设计中具有良好的适用性，同时确保了良好的散热性能。此外，2SJ476-01S-TE24R的制造工艺符合RoHS环保标准，适用于现代电子设备的绿色生产需求。其可靠的电气性能和紧凑的封装形式使其成为高密度功率电路设计中的理想选择。
2SJ476-01S-TE24R广泛应用于多种功率管理场景。例如，在DC-DC转换器中，该器件可用于高边开关，实现高效的电压转换。它也适用于电池管理系统，作为负载开关来控制电池供电电路的通断，从而提高能源利用率。此外，该MOSFET还可用于低功耗负载开关、逻辑电平转换、信号控制电路以及各种便携式电子设备的电源管理模块。由于其优异的开关特性和低导通电阻，2SJ476-01S-TE24R在需要高效率和小尺寸解决方案的电路设计中表现出色。
2SJ355, 2SJ103, 2SJ162
