时间：2025/8/8 19:25:45
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2SJ476-01 是一款由东芝（Toshiba）生产的P沟道功率MOSFET，适用于高效率电源转换和功率开关应用。该器件采用高密度单元设计，具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，广泛用于DC-DC转换器、电源管理系统、电机控制和电池供电设备等领域。2SJ476-01采用SOT-223封装形式，适合表面贴装工艺，具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：-30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：-5A
导通电阻(Rds(on))：50mΩ @ Vgs = -10V
功率耗散(Pd)：1.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT-223
2SJ476-01具备多项优异的电气和物理特性，使其在功率MOSFET领域具有广泛的应用前景。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作条件下，功率损耗较低，从而提高系统效率并减少散热需求。在Vgs为-10V时，Rds(on)仅为50mΩ，这对于功率开关和DC-DC转换器而言至关重要。
其次，该器件的最大漏源电压（Vds）为-30V，能够承受较高的电压应力，适用于多种低压功率转换应用。其最大栅源电压为±20V，提供了良好的栅极保护，避免因过高的驱动电压导致器件损坏。
2SJ476-01的连续漏极电流能力为-5A，这使其在中等功率负载下仍能保持稳定的性能。此外，其最大功率耗散为1.5W，在SOT-223封装中具备良好的热管理能力，适合高密度电路设计。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种恶劣工作环境，表现出色的稳定性和可靠性。SOT-223封装形式不仅适合表面贴装工艺，提高生产效率，还具备良好的散热性能，有助于提升整体系统可靠性。
综上所述，2SJ476-01凭借其低导通电阻、高电流能力、优良的热稳定性和紧凑的封装设计，成为多种电源管理应用的理想选择。
2SJ476-01广泛应用于各类电力电子设备中，尤其适合需要高效功率开关和电压调节的场合。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统、电池供电设备、电机控制电路、电源适配器以及工业自动化控制系统。由于其SOT-223封装形式适合表面贴装，因此在高密度PCB设计中也备受青睐。
Si4435BDY, IRML2803, FDS6680, NDS355AN, AO4406
