2SJ475-01 是一种 P 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),常用于功率开关和放大电路。这款晶体管以其高可靠性和稳定的性能广泛应用于工业控制、电源管理和电子设备中。它具备较高的耐压能力和较低的导通电阻,适合中高功率的应用场景。
类型:P 沟道 MOSFET
漏极-源极电压(Vds):-30V
漏极电流(Id):-100mA
栅极-源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):≤1.2Ω
功耗(Pd):150mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TO-92
2SJ475-01 的设计使其在多种电子电路中表现出色。首先,它的 P 沟道结构在关闭状态时需要较低的栅极电压,从而减少能量消耗,提高效率。其次,该晶体管的导通电阻相对较低,有助于降低导通状态下的功率损耗,同时提高了电流的传输能力。
该器件采用了 TO-92 封装,体积小巧且易于安装,适合用于空间有限的电路设计。此外,2SJ475-01 的耐压能力较强,漏极与源极之间的最大电压为 -30V,这使其在较恶劣的电压环境下依然能够稳定运行。
在温度适应性方面,2SJ475-01 可以在 -55°C 到 150°C 的范围内工作,确保了其在极端环境中的可靠性。这对于工业级应用来说至关重要,特别是在高温或低温条件下运行的设备。
另一个显著优势是其低栅极电荷,这有助于提高开关速度并降低开关损耗。因此,该晶体管在需要高频操作的应用中表现优异,例如 DC-DC 转换器和电机控制电路。
2SJ475-01 常用于各种电子设备和系统中,例如电源开关电路、电机控制、LED 驱动器、电池管理系统和小型功率放大器。在电源管理领域,它可以作为负载开关或稳压器的一部分,提供高效的功率控制。在工业自动化系统中,2SJ475-01 被广泛用于控制执行器、继电器和传感器等设备的开关操作。此外,该晶体管也适用于消费类电子产品,如家用电器、便携式设备和电源适配器。
2SJ103, 2SJ471