时间：2025/8/9 14:25:24
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2SJ473-01S-TB16R是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高侧开关、电源管理和负载开关应用。这款器件采用小型表面贴装封装（如SOT-23或类似封装），适用于需要高效率和紧凑设计的电子设备。其设计提供了良好的导通电阻和开关性能，适合电池供电设备和便携式电子产品。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：-100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-150mA
导通电阻（Rds(on)）：约0.8Ω（在Vgs = -10V时）
功率耗散：200mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23或类似表面贴装封装
2SJ473-01S-TB16R具有低导通电阻的特点，这使得它在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。该器件的P沟道结构适合用于高侧开关应用，例如在电源管理系统中控制电源的通断。
此外，该MOSFET具有较高的栅极电压耐受能力（±20V），使其在不同的驱动条件下都能保持稳定的工作状态。其小尺寸封装设计非常适合空间受限的应用，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和小型电源模块。
该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和消费类电子设备。由于其表面贴装封装，2SJ473-01S-TB16R可以方便地集成到现代PCB设计中，并支持自动化生产和焊接。
2SJ473-01S-TB16R广泛应用于需要低电压控制的高侧开关电路中。例如，在便携式电子设备中，它可以用作电源管理开关，控制电池供电电路的通断；在电源管理系统中，它可以用于负载切换或电压调节电路。
此外，该器件也适用于各种工业控制电路、DC-DC转换器、LED驱动电路以及低功率电源管理系统。由于其小尺寸和高性能，2SJ473-01S-TB16R特别适合用于需要高效能和紧凑设计的现代电子产品中。
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