类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-100mA（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω @ VGS = -10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23-6L

2SJ473-01LSG具有优异的电性能和热稳定性，能够在较高的工作温度下保持良好的导通性能。其低导通电阻确保了在小电流应用中具备较高的效率，同时减少了导通损耗。该器件的栅极氧化层设计提供了较高的耐压能力，使其在高频开关应用中表现出色。此外，SOT-23-6L封装不仅节省空间，而且便于散热，适用于紧凑型电子设备的设计。
　　该MOSFET的制造工艺采用了先进的硅栅技术，确保了器件的一致性和可靠性。在实际应用中，它能够快速响应栅极控制信号，实现高效的开关操作。此外，其低漏电流特性在待机或低功耗模式下可有效减少系统功耗，适用于对功耗敏感的设计。2SJ473-01LSG还具备良好的抗静电能力，提高了器件在装配和使用过程中的可靠性。

2SJ473-01LSG广泛应用于需要低功耗、小尺寸封装和高效能的电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的负载开关控制、电池供电系统的电源管理模块、小型马达驱动电路、LED背光调节、继电器替代方案以及各类传感器接口电路。此外，该器件也可用于DC-DC转换器、电源分配系统及各种模拟开关电路中。
　　由于其良好的高频响应和低导通损耗，该MOSFET特别适合用于需要高频开关操作的电源管理应用。例如，在移动设备的电池管理系统中，2SJ473-01LSG可用于实现高效的充放电控制。在工业自动化设备中，它可以作为信号控制开关或驱动小型执行器的元件。此外，该器件也适用于需要高可靠性和稳定性的车载电子系统和医疗设备。

2SJ355, 2SJ103, 2SJ471