2SJ473-01 时间：2025/8/8 16:31:10 阅读：12

2SJ473-01 是一种 P 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频开关应用和功率放大器电路。该器件采用了硅基工艺，具备良好的热稳定性和开关特性，适用于需要高效率和低损耗的电子系统。2SJ473-01 通常用于消费类电子产品、电源管理和射频（RF）应用中，具有较高的可靠性和稳定性。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：-100mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-92

特性

2SJ473-01 MOSFET 具有多个关键特性，使其适用于高频和低功率应用。
　　首先，该器件采用了P沟道增强型结构，能够在负电压下正常工作，具有良好的栅极控制能力。其最大漏源电压为-30V，允许在较宽的电压范围内使用，适用于多种电源管理场景。
　　其次，2SJ473-01 的栅源电压范围为±20V，具备较高的栅极耐压能力，能够有效防止栅极击穿，提高器件的可靠性。漏极电流额定值为-100mA，适合用于小功率开关和信号控制电路。　　此外，2SJ473-01 采用 TO-92 封装，体积小巧，便于在印刷电路板（PCB）上布局，并具有良好的散热性能。这种封装形式也便于手工焊接和自动化装配，适用于多种制造流程。
　　综合来看，2SJ473-01 是一款适用于低功率高频应用的 MOSFET，具备良好的电气性能和稳定性，广泛用于信号开关、电源管理、射频放大等电子电路设计中。

应用

2SJ473-01 主要用于以下几种应用场景：
　　首先，在高频开关电路中，2SJ473-01 可用于控制信号路径或实现高速切换。其良好的开关特性和较低的导通电阻，使其在 RF（射频）开关和调制电路中表现优异。
　　其次，在电源管理应用中，该器件可用于电池供电设备的电源控制电路，实现对负载的高效管理。例如，在便携式电子产品中，2SJ473-01 可用于控制背光、LED 灯或其他低功耗外设的供电。　　另外，该器件也适用于低功耗逻辑控制电路，如数字开关、继电器驱动和传感器接口电路。其 TO-92 小型封装形式使其非常适合用于空间受限的 PCB 设计中。
　　总之，2SJ473-01 的应用范围涵盖了从消费类电子产品到工业控制设备的多个领域，是一款功能多样且性能稳定的 P 沟道 MOSFET。