时间：2025/8/9 6:13:35
阅读：34
2SJ472是一种P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关和放大电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源管理和功率控制应用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-30A
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220AB
2SJ472具备高耐压特性，能够承受高达-100V的漏源电压，适用于高压应用环境。该器件的低导通电阻特性有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，2SJ472具有快速开关能力，能够实现高效能的功率切换。其高功率耗散能力（150W）使其在高功率应用中表现出色。采用TO-220AB封装，便于安装和散热。
在实际应用中，2SJ472的栅极驱动要求较低，可与多种驱动电路兼容。该器件的稳定性和可靠性较高，能够在较宽的温度范围内（-55°C至150°C）正常工作，适用于严苛的工业环境。其P沟道结构使其在高边开关应用中具有优势，可以简化驱动电路设计。
2SJ472常用于电源开关、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关等电路中。在工业自动化设备中，该器件可用于控制大功率负载的通断。在电源管理系统中，2SJ472可作为高边开关，实现对电源的高效控制。此外，该器件也适用于逆变器和UPS（不间断电源）等电力电子设备。
2SJ471, 2SJ366, IRF9640
