型号：2SJ421-TL
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　最大漏源电压（VDS）：-50V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-100mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-260mA
　　导通电阻（RDS(on)）：≤6.5Ω @ VGS = -5V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤8.5Ω @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　栅极电荷（Qg）：典型值 2.3nC
　　输入电容（Ciss）：典型值 27pF
　　输出电容（Coss）：典型值 11pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值 4.5pF
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

2SJ421-TL具备优异的开关特性和低导通电阻，使其在低功率开关应用中表现出色。其P沟道结构无需额外的电平转换电路即可实现高端开关控制，在电池供电系统中尤其有利。该器件的阈值电压较低，通常在-1.0V至-2.5V之间，这意味着它可以在较低的栅极驱动电压下可靠导通，适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的场合。这一特性大大简化了驱动电路设计，减少了外围元件数量，提高了系统集成度。此外，2SJ421-TL的栅极电荷（Qg）仅为2.3nC左右，意味着在开关过程中所需的驱动能量非常小，从而降低了驱动损耗并提升了整体效率，特别适合高频开关应用。
　　该器件的输入电容（Ciss）为27pF，输出电容（Coss）为11pF，反向传输电容（Crss）为4.5pF，这些较低的电容值有助于减少开关延迟和米勒效应，提升开关速度，降低开关损耗。在实际应用中，这表现为更快的上升和下降时间，使2SJ421-TL适用于需要快速响应的开关电源或信号切换电路。其SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的热传导性能，在合理布局下可有效散热，延长器件寿命。此外，该封装兼容自动贴片工艺，适合大规模生产。
　　2SJ421-TL在温度稳定性方面表现良好，其导通电阻随温度变化较小，确保在不同工作环境下仍能保持稳定的性能。器件的最大工作结温可达+150°C，具备较强的热耐受能力，适用于环境温度较高的应用场景。同时，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保在长期运行中的稳定性和耐用性。其符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，适用于绿色环保电子产品设计。

2SJ421-TL广泛应用于各种低功率开关和电源管理电路中。常见用途包括便携式电子设备中的电池开关控制，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等，用于控制电池与主电路之间的连接与断开，实现低功耗待机或过流保护功能。在DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流或高端开关，提高转换效率并减小电路体积。此外，它也常用于负载开关电路，控制特定模块的供电通断，避免不必要的能耗，延长电池续航时间。
　　在消费类电子产品中，2SJ421-TL可用于LED驱动电路中的开关控制，实现亮度调节或快速开关响应。其快速开关能力和低驱动需求使其非常适合由微控制器直接驱动的应用场景。在工业控制领域，该器件可用于传感器电源管理、继电器驱动或信号通路切换，提供可靠的开关性能。通信设备中的电源模块也常采用此类小型MOSFET进行电压通断控制。由于其SOT-23封装体积小，2SJ421-TL特别适用于高密度PCB布局，如可穿戴设备、物联网终端和微型传感器节点等对空间要求苛刻的产品。此外，该器件还可用于电机驱动电路中的低边或高边开关，控制小型直流电机的启停和方向切换。在各类适配器、充电器和电源管理IC的外围电路中，2SJ421-TL也发挥着重要作用，作为辅助开关元件提升系统整体效率和可靠性。

SSM20N06LE-7
　　FDG6302P
　　DMG2301U