类型：P沟道MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
　　栅极-源极击穿电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-200mA（在25°C）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-92
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.8Ω（典型值）
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　栅极电荷（Qg）：约3.8nC

2SJ410具备多项优良的电学性能，首先，其P沟道结构使其在低电压条件下能够高效导通，适用于需要快速开关和节能的电路设计。其次，该MOSFET的导通电阻较低，通常在1.8Ω左右，有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。
　　此外，2SJ410的连续漏极电流为-200mA，支持在中等功率负载下运行，同时其最大漏极-源极电压为30V，可在较低电压应用中提供较高的安全裕量。该器件的栅极-源极电压范围为±20V，确保在不同的驱动条件下具有稳定的性能。
　　在封装方面，2SJ410采用TO-92封装，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于各种电路板布局，同时也便于手工焊接和批量生产。其工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端温度环境下稳定运行，适用于工业级和消费级应用。
　　最后，2SJ410的栅极电荷较低，约为3.8nC，这意味着在开关过程中所需的驱动功率较小，有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。

2SJ410 P沟道MOSFET在多个电子领域中均有广泛应用。首先，它常用于电源管理电路中，例如DC-DC转换器、电池充放电管理模块以及低电压稳压器。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效的功率开关元件。
　　其次，该器件适用于负载开关电路，例如控制LED背光、电机驱动、继电器替代方案等。在这些应用中，2SJ410可以实现对负载的精确控制，并减少功耗。
　　此外，它也广泛应用于嵌入式系统、微控制器外围电路和小型电源适配器中，用于控制和切换不同电路模块的供电状态。在消费电子产品中，如便携式设备、智能家电和音频设备中，2SJ410也可用于实现高效的电源管理和信号切换功能。
　　在工业自动化系统中，2SJ410可用于驱动小型继电器、传感器或执行器，确保系统在低电压条件下稳定运行。其宽温度范围和高可靠性也使其适用于环境较为苛刻的工业场合。

2SJ103, 2SJ162, 2SJ306