类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：-30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：-200mA
　　功耗(Pd)：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C

2SJ410(LS)具有多项优良特性，使其在各类电子应用中表现出色。首先，其漏源电压为-30V，能够承受相对较高的反向电压，适用于多种电源管理场景。其次，该器件的栅源电压范围为±20V，提供了较高的栅极驱动灵活性，使得其可以与多种控制电路兼容。此外，2SJ410(LS)的漏极电流能力为-200mA，适合用于中低功率的开关控制应用。
　　该器件的功耗为200mW，在正常工作条件下具有良好的热稳定性，能够在较高温度环境下可靠运行。同时，其工作温度范围为-55°C至150°C，存储温度范围也为-55°C至150°C，这使得它能够在极端温度条件下保持稳定的性能，适用于工业级和汽车电子等对温度要求较高的应用领域。
　　2SJ410(LS)采用LS封装（通常为SOP封装的一种），这种封装形式具有较小的体积和良好的散热性能，适合在空间受限的PCB设计中使用。此外，SOP封装便于自动化生产和焊接，提高了生产效率和可靠性。

2SJ410(LS)因其优良的电气特性和紧凑的封装设计，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，该器件常用于DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关控制，能够高效地控制电源的导通和关断，提高整体系统的能效。在电机控制和继电器驱动电路中，2SJ410(LS)可用于控制小功率电机或继电器的启停，提供稳定的开关性能。
　　此外，该器件也常用于工业自动化设备和消费类电子产品中，如智能家电、照明控制系统和传感器接口电路。其良好的温度适应性使其在汽车电子系统中也有一定的应用，例如车载充电系统、车身控制模块和车用传感器驱动电路。
　　由于其SOP封装的小巧体积，2SJ410(LS)特别适合用于空间受限的高密度PCB设计中，如便携式设备和嵌入式系统。

2SJ355, 2SJ113, 2SJ162