型号：2SJ406
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：50V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-7A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-28A
　　功耗（Pd）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻Rds(on)：0.035Ω（@Vgs=-10V, Id=-3.5A）
　　阈值电压Vgs(th)：-2.0V ~ -4.0V（@Id=-1mA）
　　输入电容（Ciss）：900pF（@Vds=25V, Vgs=0V）
　　输出电容（Coss）：300pF（@Vds=25V, Vgs=0V）
　　反向传输电容（Crss）：100pF（@Vds=25V, Vgs=0V）
　　栅极电荷（Qg）：20nC（@Vgs=-10V, Id=-7A）

2SJ406具备多项优异的电气和物理特性，使其在众多P沟道MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻Rds(on)仅为35毫欧，在同类器件中属于较低水平，这意味着在导通状态下能够显著减少功率损耗，提高系统效率。这对于电池供电设备或对能效要求较高的应用尤为重要。其次，该器件支持高达-7A的连续漏极电流，并可在短时间内承受-28A的脉冲电流，展现出强大的负载驱动能力和瞬态响应性能。这一特性使得2SJ406不仅适用于稳态工作条件，也能应对突发的大电流需求，如电机启动或电容充电过程。
　　另一个关键特性是其宽泛的工作温度范围，从-55℃到+150℃，确保了在极端环境下的可靠运行。无论是寒冷的户外设备还是高温的工业控制器，2SJ406都能保持稳定的性能表现。同时，其±20V的栅源电压额定值提供了足够的安全裕度，防止因过压导致的栅极氧化层击穿，延长了器件寿命。此外，该MOSFET具有较低的输入、输出和反向传输电容，有助于减小开关损耗并提升高频工作的稳定性，适用于高频开关电源设计。
　　2SJ406还具备良好的热稳定性与抗干扰能力。其封装设计有利于热量的有效传导，配合适当的散热措施可长时间稳定运行于高功率状态。内置的体二极管具有较快的反向恢复速度，减少了在感性负载切换时的能量损耗和电压尖峰，提升了系统的电磁兼容性（EMC）表现。综合这些特性，2SJ406在可靠性、效率和成本之间实现了良好平衡，是中小功率电源系统中值得信赖的核心元件之一。

2SJ406广泛应用于各类需要高效、可靠功率控制的电子系统中。其典型应用场景包括DC-DC转换器，特别是在同步整流架构中作为高边开关使用，利用其低导通电阻优势降低能量损耗，提高转换效率。在电池供电设备如便携式仪器、笔记本电脑电源模块和移动通信终端中，2SJ406常被用于电源通断控制和负载切换，实现低静态功耗与快速响应。此外，在电机驱动电路中，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构中的上桥臂开关，控制直流电机或步进电机的正反转与启停操作。
　　在工业自动化领域，2SJ406也被用于PLC输出模块、继电器驱动电路和传感器供电控制单元中，提供稳定的电源隔离与负载驱动功能。其高耐压特性和较强的抗干扰能力使其适用于存在较大电压波动或电磁噪声的工业环境。在汽车电子系统中，尽管并非专为车规级设计，但在某些非关键辅助电路如车灯控制、风扇调速或车载充电器中仍有应用实例。
　　此外，2SJ406还可用于逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源以及各种开关模式电源（SMPS）设计中。其P沟道特性简化了高边驱动电路的设计复杂度，尤其在没有专用驱动IC的情况下更具优势。对于需要冗余电源切换或热插拔功能的系统，2SJ406也可作为理想的电源路径控制开关，配合保护电路实现软启动与过流保护功能。总之，凭借其全面的性能指标和成熟的技术基础，2SJ406在多个行业领域中持续发挥重要作用。

2SJ323
　　2SJ279
　　2SJ157
　　BSP752R
　　FDD8870