类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：-30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：-5A
　　导通电阻(Rds(on))：≤0.15Ω @ Vgs = -10V，≤0.21Ω @ Vgs = -4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-223

2SJ401(TE24L) 的主要特性之一是其较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体能效。该器件的最大漏源电压为-30V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低压功率应用。其最大连续漏极电流为-5A，足以满足大多数中等功率电路的需求。此外，该MOSFET具有较高的栅极阈值电压稳定性，确保在不同工作条件下仍能保持良好的开关性能。
　　在封装方面，2SJ401采用SOT-223封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和维修。该封装形式还具备良好的热传导性能，有助于提升器件在高负载条件下的可靠性。
　　另一个显著优势是其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），使该MOSFET能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品等多种应用场景。此外，2SJ401的结构设计确保了良好的抗静电能力和耐久性，降低了在运输和使用过程中受到静电损害的风险。

2SJ401(TE24L) 通常用于各种电源管理电路中，例如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。由于其良好的导通特性和高可靠性，该器件常被用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源管理系统。此外，在电池供电系统中，2SJ401可作为高边开关，实现对负载的有效控制，延长电池寿命。
　　在工业控制领域，2SJ401适用于电机驱动电路、继电器驱动器和电源供应器。其良好的热稳定性和抗过载能力使其能够在恶劣的工业环境中可靠运行。在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车身控制模块、车灯控制系统和车载充电器等应用，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的要求。
　　另外，2SJ401也适用于低电压功率开关应用，例如智能电表、安防系统和家用电器等。其低导通电阻和高效率特性有助于降低系统功耗，提升整体性能。

2SJ355, 2SJ348, FDN358P, Si2301DS