型号：2SJ382
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-100V
　　最大漏极电流（ID）：-2.0A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-5.6A
　　最大功耗（PD）：1.5W（SOT-223）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 3.0Ω @ VGS = -10V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 4.0Ω @ VGS = -5V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　栅极电荷（Qg）：典型值 6.5nC @ VDS = -80V, ID = -1.0A
　　输入电容（Ciss）：典型值 270pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
　　反向恢复时间（trr）：不适用（体二极管存在但非重点参数）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-223

2SJ382具备优异的电气性能和热稳定性，采用了东芝成熟的沟槽式MOSFET技术，确保了在高电压应用中的可靠性和效率。其P沟道结构使得在许多同步整流或高端/低端开关配置中能够实现简化的驱动设计，尤其适用于不需要复杂电平移位电路的应用场景。该器件的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高整体系统的能效，减少发热问题。例如，在电池供电设备或便携式电源管理模块中，这种低损耗特性可以延长电池使用寿命，并提升系统运行的稳定性。
　　另一个重要特性是其较小的栅极电荷（Qg），这直接影响到开关速度和驱动损耗。较低的Qg意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而允许更高的开关频率运行而不会显著增加控制器的负担。这对于现代高效率开关电源设计尤为重要，特别是在DC-DC降压或反激式转换器中，能够有效减小外围电感和电容的体积，进而实现小型化设计。
　　2SJ382还具有良好的抗雪崩能力和坚固的结构设计，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定工作，提升了系统的鲁棒性。其SOT-223封装不仅提供了良好的散热性能，而且便于自动化贴片生产，适合大规模制造。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等，确保长期使用的可靠性。综合来看，2SJ382是一款高性能、高性价比的P沟道MOSFET，特别适合用于中低压、中小电流的功率开关场合。

2SJ382常用于多种电源管理和功率控制应用中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、离线式反激变换器以及隔离型DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。在这些电路中，它通常作为低端开关与N沟道MOSFET配合使用，或者单独用于P沟道驱动拓扑以简化控制逻辑。此外，该器件也广泛应用于电池供电设备的电源开关控制，例如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等产品中的负载开关或电源路径管理模块。
　　在工业控制领域，2SJ382可用于继电器驱动、电机启停控制、电磁阀开关等中小功率负载的切换。由于其具备一定的过载承受能力，可以在短时峰值电流下正常工作，适用于间歇性工作的执行机构驱动。同时，在LED照明驱动电路中，也可作为恒流调节或调光控制的开关元件，尤其是在低成本、低复杂度的设计方案中表现出良好的适应性。
　　另外，该器件还可用于热插拔电路、电源多路复用器以及防反接保护电路中。例如，在双电源选择系统中，利用两个P沟道MOSFET分别控制不同输入电源的通断，可实现无缝切换和自动优先级选择。由于其栅极驱动电压相对简单（只需拉低即可导通），非常适合由微控制器直接控制，无需额外的驱动IC，从而降低系统成本和设计复杂度。总体而言，2SJ382凭借其紧凑封装、良好性能和高可靠性，已成为众多中低端功率电子设计中的优选器件之一。

2SJ129, 2SJ201, FDD8858, SI2301, DMP2008U