时间：2025/8/2 7:10:30
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2SJ363是一种P沟道场效应晶体管（P-channel JFET），广泛用于低噪声前置放大器和高频放大电路中。该晶体管具有良好的线性度和低噪声特性，适用于音频、射频及模拟信号处理领域。
晶体管类型：P沟道JFET
最大漏极电流（ID）：-10mA
最大漏源电压（VDS）：-25V
最大栅源电压（VGS）：-25V
输入电容（Ciss）：7pF（典型值）
跨导（Gm）：1000μS（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
2SJ363以其低噪声系数和高跨导特性著称，非常适合用于高灵敏度的信号放大电路。该器件的输入电容较小，有助于减少高频信号失真，提高电路的稳定性。此外，2SJ363具有良好的温度稳定性和长期可靠性，可在广泛的温度范围内保持稳定的性能。
该晶体管采用TO-92封装形式，便于在印刷电路板（PCB）上安装和使用。其P沟道结构使得在共源放大电路中能够实现较高的输入阻抗，从而减少对信号源的影响。2SJ363的低功耗设计也使其在电池供电设备中具有良好的应用前景。
2SJ363常用于音频放大器的前置级、射频信号放大器、模拟开关电路以及各种低噪声放大电路。由于其优异的噪声性能，它也广泛应用于医疗设备、测试仪器和通信设备中的信号处理模块。
2SJ113, 2N5457, BF245C
