2SJ318STR 时间：2025/9/7 17:54:04 阅读：13

2SJ318STR 是一款P沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由东芝（Toshiba）公司生产。该器件适用于需要高效率、快速开关特性的应用场合，特别是在电源管理领域。2SJ318STR 采用SOT-223封装，适合表面贴装技术（SMT），具备较高的热稳定性和电气性能。

参数

类型：P沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.5A（在25℃）
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻（Rds(on)）：最大45mΩ（在Vgs=-10V时）
　　栅极电荷（Qg）：15nC（典型值）
　　漏极电容（Ciss）：620pF（典型值）

特性

2SJ318STR 具备出色的导通性能和较低的导通电阻，使其在高负载条件下能够有效降低功率损耗。其P沟道结构允许在高侧开关应用中实现高效的电压控制。此外，该器件具备较高的耐压能力，最大漏源电压为-30V，可承受一定的电压波动和瞬态冲击。栅极电荷较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用。
　　该器件采用SOT-223封装，具有良好的热管理性能，能够在高电流工作条件下保持稳定。封装尺寸紧凑，适合空间受限的电路设计，并支持自动化贴片工艺，提高了制造效率和可靠性。同时，该MOSFET具备较高的抗静电能力，可在一定程度上抵御静电放电（ESD）造成的损坏。
　　2SJ318STR 的工作温度范围广泛，从-55℃到+150℃，使其适用于各种恶劣环境条件下的电子设备，如工业控制系统、车载电子设备和消费类电子产品。